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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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EEVIA媒體論壇之英飛凌：賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展

在最近召開的EEVIA第十屆年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)上，來自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車級(jí)WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)管理經(jīng)理?xiàng)畲蠓€(wěn)以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題，詳細(xì)介紹了英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來趨勢(shì)。新能源車是全球汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域，特別是在中國(guó)這個(gè)全球產(chǎn)銷第一的市場(chǎng)，2022年國(guó)有品牌汽車占據(jù)近一半的中國(guó)汽車市場(chǎng)份額，最大的驅(qū)動(dòng)力是來自于新能源車和電動(dòng)車?？梢灶A(yù)想，隨著政府和車廠的支持，電動(dòng)車未來幾年會(huì)迎
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SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

當(dāng)前，全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó)，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然，“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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認(rèn)識(shí)線性功率MOSFET

本文針對(duì)MOSFET的運(yùn)作模式，組件方案，以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說明，剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\(yùn)作。然而，用于線性模式應(yīng)用時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達(dá)控制或電子負(fù)載等線性模式應(yīng)用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。了解線性模式運(yùn)作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案，是將先進(jìn)的開關(guān)MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級(jí)封裝，從而實(shí)現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級(jí)優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對(duì)這
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科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理

MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。市面上大家所說的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性，是電動(dòng)汽車和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)（ESS）等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī)，50 kW 至 350 kW 的充電機(jī)，儲(chǔ)能系統(tǒng)，電動(dòng)汽車快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場(chǎng)景應(yīng)用
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案

智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過一條USB-TYPE C線纜
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使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競(jìng)相開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開關(guān)速度較快時(shí)
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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
關(guān)鍵字：東芝 SiC MOSFET