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ROHM炫動慕展,為汽車車載帶來一大波方案

  •   ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展",并占據(jù)館內的入口人氣位置,以炫動的賽車和動感十足的汽車產(chǎn)品,吸引觀眾的眼球。那么,這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?  據(jù)悉,此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設備”,重點展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案。  圖:ROHM展臺設在展館入口處,動感賽車吸引眼球  賽車性能突破極限,因為有SiC  視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?,RO
  • 關鍵字: ROHM  SiC  

SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

  • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關鍵字: 力特,SiC,GaN  

新一代功率器件動向:SiC和GaN

  • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關鍵驅動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
  • 關鍵字: 安森美,SiC,GaN  

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件,面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊,可穿戴設備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關新技術和熱門產(chǎn)品。
  • 關鍵字: SiC  GaN  電源管理  201804  

電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動電路篇

  •   MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?! ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅動電路,驅動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
  • 關鍵字: MOSFET  電源IC  

新發(fā)現(xiàn)!SiC可用于安全量子通信

  •   使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn),目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng),能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。   來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發(fā)射二極管,每秒可以發(fā)射多達數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明,SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。   量子密碼術與傳統(tǒng)的加密算法不同,它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下,是無法
  • 關鍵字: SiC  量子通信  

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

  •   相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。        此外,除了輕化車輛設計之外,因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭R虼耍?/li>
  • 關鍵字: SiC  GaN  

ROHM攜汽車電子及工業(yè)設備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

  •   全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?!  澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領先的強大產(chǎn)品陣容。另外,為此
  • 關鍵字: ROHM  SiC  

慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領域的最新產(chǎn)品 都在世強

  •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
  • 關鍵字: SiC  GaN  

5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

  •   據(jù)麥姆斯咨詢報道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業(yè)的應用,化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成??其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。   我們
  • 關鍵字: 5G  SiC  

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

  •   全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET,為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰(zhàn)略合作關系,旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
  • 關鍵字: Littelfuse  MOSFET  

宜普電源轉換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能,不僅替代MOSFET器件,更為市場帶來創(chuàng)新設計

  •   EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上,與工程師會面并作技術交流。屆時,EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設計,從而為工程師及其客戶,打造共創(chuàng)共贏新局面?! irFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)  首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
  • 關鍵字: 宜普  MOSFET  

ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動器板加快產(chǎn)品上市時間

  •   Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性,同時減少創(chuàng)建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
  • 關鍵字: ADI  SiC  

安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

  •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體?(ON?Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗,并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)。  安森美半導體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
  • 關鍵字: 安森美  SiC  

高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙

  •   當前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度,這為非隔離負載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率,設計人員選擇避免多級轉換,以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓,提供更高的轉換率。除此之外,niPOL還需要在保持最高效率的同時,繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升,niPOL的功率需求會進一步提高。  電源行業(yè)通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰(zhàn)。過去幾年,行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
  • 關鍵字: ZVS  MOSFET  
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