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電壓高(120VP-P)的功率MOSFET放大器電路及工作原理

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似,放大電路必須采用對(duì)稱電路,而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路,各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路,可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器,其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快,適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器,而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET,使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
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微芯有刷直流電機(jī)控制方案

  • 有刷直流電機(jī)通過電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn):典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組,并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開,從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
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被忽略的細(xì)節(jié):理解MOSFET額定電壓BVDSS

  •   看到這個(gè)主題,可能有些工程師會(huì)問:多少伏的功率MOSFET,耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù),今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié),來理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。   數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓,漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí),所能施加的最大的額定電壓,測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  •   Fairchild,現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N溝道MOSFET,這是該公司新一代的MOSFET,可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。   SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能,是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外,該系列還提供了廣泛的封裝選擇,賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性,特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。   Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

  •   英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級(jí)結(jié)技術(shù),兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用,可完全滿足性能、易于設(shè)計(jì)和性價(jià)比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?,這種拓?fù)涑R娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。        800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對(duì)手產(chǎn)品,這相當(dāng)于將
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步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管,其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。   電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí),需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

  •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運(yùn)算力不斷增強(qiáng),使運(yùn)算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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IGBT是啥?看完這篇文章我不信你還不明白

  •   電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。   然而在電力電子里面,最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。        一說起IGBT,半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣,是國家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目,這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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Zaptec公司采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的功率技術(shù),開發(fā)出獨(dú)具特色的便攜式電動(dòng)汽車充電器

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的享譽(yù)業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件,讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動(dòng)汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產(chǎn)業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。   作為市場首款內(nèi)置電子變壓器的電動(dòng)汽車便攜式充電器,ZapCharger可以連接任何電網(wǎng)給任何電動(dòng)汽車充電。意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉(zhuǎn)換性能,讓Zaptec工程師得以設(shè)
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SiC功率半導(dǎo)體市場將開始高速發(fā)展

  •   SiC功率半導(dǎo)體正進(jìn)入多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域   當(dāng)首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時(shí),整個(gè)產(chǎn)業(yè)都對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的未來發(fā)展存在疑慮,它會(huì)有市場嗎?它能夠真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天,人們不再會(huì)有這樣的疑慮。SiC功率半導(dǎo)體市場是真實(shí)存在的,而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年,SiC功率半導(dǎo)體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元,到2021年,其市場規(guī)模預(yù)計(jì)將超過5.5億美元,這期間的復(fù)合年均增長率預(yù)計(jì)將達(dá)19%。毫無懸念,消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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住在市區(qū)還是郊區(qū)?考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

  •   一般來講,尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,并能享受城市服務(wù),但他們更愿意搬到郊區(qū),因?yàn)槟抢锓孔痈?,院子更寬敞。同樣,?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí),他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利,取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案??刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似,具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性,但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn),更多的電路板空間。        直到最近,電流超過10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴帶外部MOSF
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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集

  •   下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。   1,MOS管種類和結(jié)構(gòu)   MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。   至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。   對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動(dòng)化進(jìn)程

  •   橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)在混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車(EV,Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件,同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。   電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車,使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,針對(duì)汽車所有主要電氣模塊,意法半導(dǎo)體率先推
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