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大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散

功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路電源

功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用，而對(duì)于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán)，需要研
關(guān)鍵字： MOSFET 同步整流 DC-DC

由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)

摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔緩啟動(dòng) 開關(guān)損耗

1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn)，因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies，S
關(guān)鍵字： MOSFET 筆記本電源降壓變換器

在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET

　　市場(chǎng)研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測(cè)到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，2016年至2023年間的復(fù)合成長率(CAGR)為28%，2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%?！　“▁EV、xEV充電基
關(guān)鍵字： SiC PFC

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模
關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩

　　MOSFET漲價(jià)已經(jīng)很長一段時(shí)間，從今年年初至今，其漲價(jià)幅度已經(jīng)達(dá)到了5%-10%，相對(duì)另外一種被動(dòng)元器件MLCC，MOSFET漲價(jià)幅度還算在可接受范圍之內(nèi)。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導(dǎo)體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產(chǎn)能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?，汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、云端計(jì)算等新應(yīng)用加大對(duì)MOSFET的需求，導(dǎo)致電腦以及智能手機(jī)等3C電子產(chǎn)品用MOSFET供貨嚴(yán)重不足，價(jià)格已經(jīng)從今年年初上漲至今持續(xù)了3個(gè)季度!據(jù)市場(chǎng)表示，今年上半年MOSFET
關(guān)鍵字：中興 ODM OEM MOSFET

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應(yīng)商獎(jiǎng)”。安森美半導(dǎo)體是UAES最近的供應(yīng)商大會(huì)上3家獲獎(jiǎng)的半導(dǎo)體供應(yīng)商之一?！　≡摢?jiǎng)?wù)J同安森美半導(dǎo)體寬廣的產(chǎn)品陣容的價(jià)值，這些產(chǎn)品用于UAES領(lǐng)先行業(yè)的先進(jìn)汽車系統(tǒng)方案。安森美半導(dǎo)體能提供大量關(guān)鍵器件用于從動(dòng)力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)和點(diǎn)火系統(tǒng)到最新的牽引
關(guān)鍵字：安森美 SiC

提出了一種新型快速充電策略，并設(shè)計(jì)和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源，介紹了AC/DC電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、關(guān)鍵元件選型及參數(shù)計(jì)算?？焖俪潆娖鬏斎隤F大于0.98，額定工作點(diǎn)效率大于90%?？蓪?shí)現(xiàn)12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時(shí)內(nèi)100%SoC快速充電。
關(guān)鍵字：快速充電鋰電池組 PFC LLC SiC 201808

功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實(shí)現(xiàn)各種各樣的功能，包括負(fù)載切換、電機(jī)控制以及DC/DC轉(zhuǎn)換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
關(guān)鍵字： MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換 SQJQ480E