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汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢(shì)

  • 汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片

  • 1　引言
    　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請(qǐng)問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過一個(gè)比較 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器-高頻開關(guān)電源的理想選擇

  • MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。該器件具...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下

  • 　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

  • 服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SuperFET  

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

  • 如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭(zhēng)議會(huì)阻礙數(shù)字控制電源以
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電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低...
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電源設(shè)計(jì)小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
  • 關(guān)鍵字： 同步降壓  MOSFET  電阻比  

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

  • 汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDB9403  

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動(dòng)工具、代步車，以及ORing和熱插拔應(yīng)用等。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

高壓MOS缺貨 晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。 　　恩智浦區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅(qū)動(dòng)IC方案確?？蛻粽莆肇浽礋o虞。 　　恩智浦(NXP)區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，20
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  LED  MOSFET  

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  
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