首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic mosfet

MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
  • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?~600m?,將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A~73A。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列

  • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間,可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
  • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要: 對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計(jì)算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開(kāi)通過(guò)程的影響,并通過(guò)仿真和試
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)  變壓器設(shè)計(jì)    

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固O(píng)Ring控制器

  • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
  • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  ISL6146  

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

恩智浦提供汽車(chē)認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專(zhuān)為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有一流的性能和可靠性;同時(shí),與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。
  • 關(guān)鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: 意法  晶體管  MOSFET  LED  

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體器件

  • 進(jìn)入21世紀(jì),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展,這需要我國(guó)電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
  • 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源  轉(zhuǎn)換器  碳化硅(SiC)  

如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如,對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用,由于MOSFET基本上
  • 關(guān)鍵字: MOSFET    

估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)易方法

  • 本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。通
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  熱插拔  方法    

功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

  • 本文不準(zhǔn)備寫(xiě)成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)。  數(shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類(lèi):即最大額定值和電氣特性值。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  數(shù)據(jù)表  分析    
共1627條 74/109 |‹ « 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 » ›|

sic mosfet介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic mosfet的理解,并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473