sic-sbd 文章進(jìn)入sic-sbd技術(shù)社區(qū)

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個(gè)關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過(guò)與Si類(lèi)似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過(guò)程需要很長(zhǎng)時(shí)間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC 柵極絕緣層

第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無(wú)法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時(shí)，對(duì)于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對(duì)于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

全球 33 家 SiC 制造商進(jìn)展概覽

SiC 功率器件市場(chǎng)規(guī)模逐年擴(kuò)大，并將保持高速增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字： SiC 功率器件

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過(guò)采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。新驅(qū)動(dòng)器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 IGBT SiC MOSFET

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車(chē)載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，最新開(kāi)發(fā)出一款用于車(chē)載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開(kāi)始提供測(cè)試樣品，供客戶評(píng)估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時(shí)，其可靠性會(huì)因?qū)娮柙黾佣档汀|芝SiC MOSFET通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來(lái)緩解上述問(wèn)題，但如若將SBD布置在芯片上
關(guān)鍵字：東芝低導(dǎo)通電阻牽引逆變器 SiC MOSFET

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對(duì)稱(chēng)系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對(duì)稱(chēng)瞬態(tài)抑制解決方案，專(zhuān)為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對(duì)穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來(lái)越大。SMFA非對(duì)稱(chēng)系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對(duì)稱(chēng)系列是市場(chǎng)
關(guān)鍵字： SiC MOSFET柵極保護(hù) 非對(duì)稱(chēng)瞬態(tài)抑制二極管 Littelfuse

進(jìn)擊的中國(guó)碳化硅

中國(guó)碳化硅廠商把價(jià)格打下來(lái)了。
關(guān)鍵字： SiC

全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠？

全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
關(guān)鍵字： SiC

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

壓縮機(jī)是汽車(chē)空調(diào)的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車(chē)內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車(chē)以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車(chē)脫離了發(fā)動(dòng)機(jī)，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)，從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件，除了可以提高車(chē)廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對(duì)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對(duì)電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車(chē)熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機(jī)需
關(guān)鍵字：壓縮機(jī) 汽車(chē)空調(diào) SiC

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)逆變器量身定制

意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
關(guān)鍵字： STPOWER SiC MOSFET

東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬，有
關(guān)鍵字：東芝 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管工業(yè)電源

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)（SF）、以及刃位錯(cuò)（TED）、螺旋位錯(cuò)（TSD）、基面位錯(cuò)（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言，最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯(cuò)的密度約為103～10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今，與Si相
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設(shè)計(jì)

我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級(jí)LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對(duì)整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
關(guān)鍵字：車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器 NVHL060N090SC1 SiC

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上，賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì)；武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介，向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
關(guān)鍵字：羅姆 SiC MOSFET 極氪