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EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

  • 　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆m然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠(yuǎn)來看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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基于SPI總線技術(shù)的同步422接口設(shè)計(jì)

  • 　　本文中將介紹一種新型嵌入式微處理器MCF5282以及由它設(shè)計(jì)出的嵌人式主模板，能夠滿足多種通信方式的要求，而且其處理速度和實(shí)現(xiàn)多通道交直流采樣的精度比起上述三類芯片都要高得多，其實(shí)時性也更完美。 　　1 MCF5282微處理器的主要特點(diǎn) 　　MCF5282微處理器是迄今為止Motorola推出的最高集成度的ColdFire系列32位微處理器，內(nèi)含有2 KB的高速緩沖存儲器Cache、64 KB的隨機(jī)存儲器RAM和512KB的閃存Flash，其I/0口總數(shù)達(dá)到152個。它還采用智能DigjtalDN
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支持單線SPI接口的燒錄技術(shù)實(shí)現(xiàn)

  • 　　摘要：常規(guī)的SPI接口總線是雙數(shù)據(jù)線全雙工的同步通訊總線，在芯片的管腳上占用四根線。這里將介紹一種半雙工的，單數(shù)據(jù)線，且編程器作為從機(jī)的通訊協(xié)議，這次的通訊時鐘比較高，達(dá)到了10MHz。 　　1、標(biāo)準(zhǔn)的SPI通訊協(xié)議 　　SPI是串行外設(shè)接口(Serial Peripheral Interface)的縮寫，是一種高速，全雙工，同步的通訊協(xié)議。SPI 　　通常需要四根線，它們是MOSI(數(shù)據(jù)輸出)、MISO(數(shù)據(jù)輸入)、SCLK(時鐘)、SS(片選)。 　　(1) MOSI - 主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，
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排查故障之三大必須

  • 　　簡介：最近我的學(xué)生頻繁出現(xiàn)“卡殼”現(xiàn)象：看似很簡單的設(shè)計(jì)，卻死活調(diào)不出來，人都快瘋掉了。大約一周前，小陳來找我的時候，一副懸崖上抓不牢樹枝，就想自己松手跳崖的樣子，猴急的都想給我說難聽話了。這兩天，小陳的問題找到了，解決了，又快樂了。但是常偉的問題又來啦。 　　用MSP430F169單片機(jī)給程控增益放大器PGA280實(shí)施SPI控制，正常，同一個單片機(jī)給一個24位ADS1259實(shí)施控制，也正常。但是兩個同時都焊上，用CS片選分別控制，就不行了。問題就這么簡單，卻讓他焦頭爛額。
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科技行業(yè)為Flash準(zhǔn)備“葬禮”

  • 過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應(yīng)當(dāng)走向消亡。
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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

  • 　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。 　　   　　圖1存儲部分原理框圖 　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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TI：如何通過一個差分接口來延長SPI總線

  • 　　本文將介紹如何通過一個差分接口來延長串行外設(shè)接口(SPI)總線，而這可以應(yīng)用在支持遠(yuǎn)程溫度或壓力傳感器的系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 　　在SPI應(yīng)用中，主控器件和受控器件間的距離相對較近，而信號也通常不會傳遞到印刷電路板(PCB)之外。SPI信號類似于單端、晶體管-晶體管邏輯(TTL)信號，根據(jù)應(yīng)用的不同，運(yùn)行速率可高達(dá)100Mbps。一條SPI總線由四個信號組成：系統(tǒng)時鐘(SCLK)，主器件輸出從器件輸入(MOSI)，主器件輸入從器件輸出(MISO)和芯片選擇(CS) 。主控器件提供SCLK，MOSI和CS信號
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SPI是什么

  • 　　導(dǎo)讀：本文主要介紹的是SPI是什么，不懂得親快來學(xué)習(xí)一下吧，很漲姿勢的哦~~~ 1.SPI是什么--簡介 　　SPI是Serial Peripheral Interface的縮寫，中文名稱為串行外設(shè)接口。SPI總線系統(tǒng)是一種同步串行外設(shè)接口，它可以使MCU與各種外圍設(shè)備以串行方式進(jìn)行通信以交換信息。SPI總線系統(tǒng)是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，并且在芯片的管腳上只占用四根線，節(jié)約了芯片的管腳，同時為PCB的布局上節(jié)省空間，提供方便， 2.SPI是什么--特點(diǎn) 　　SPI一共有11位有
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程 　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 　　VxWorks內(nèi)核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
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BCM硬件設(shè)計(jì)的平臺化和半導(dǎo)體化(下)

  • 　　接上篇 　　4 設(shè)計(jì)趨勢 　　目前BCM設(shè)計(jì)技術(shù)日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設(shè)計(jì)者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關(guān)于功能安全的考慮在BCM設(shè)計(jì)中將會得到更多的體現(xiàn)。 　　4.1 集成度和靈活性 　　隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設(shè)計(jì)的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實(shí)現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！

  • 　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日報(bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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儲存市場新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待

  • 　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來將擴(kuò)大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。 　　據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。 　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報(bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
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大陸手機(jī)市場驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

  • 　　中國大陸智能型手機(jī)的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競爭還是手機(jī)整機(jī)的競爭上都倍感壓力。
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spi nor flash介紹

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