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Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進步。由于各醫(yī)療設備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

  • 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進行最佳化的μPA2812T1L。
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飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

  • 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關(guān)解決方案的需求
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電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
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高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(五)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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MOSFET的UIS和雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
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功率MOSFET設計考量

  • 用作功率開關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅(qū)動變?yōu)殡妷候?qū)動，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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MOSFET高速驅(qū)動設計

  • 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動線路設計的注意事項。
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包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言　　散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
  • 關(guān)鍵字： 熱模型  MOSFET  PSPICE  

飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導體  英飛凌科技  MOSFET  

飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。 　　飛兆半導體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關(guān)鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。 　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達成的協(xié)議的擴展，旨在為客戶保證供
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