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Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
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恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  PBSM5240PF  

Vishay將舉辦中國西部電源研討會

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術(shù)報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中的應(yīng)用。研討會面向研發(fā)工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
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提供低損耗大功率的MOSFET

  • 硅功率二極管的PN結(jié)通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當(dāng)?shù)哪芰?，從而造成電源效?..
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根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

  • 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  導(dǎo)通阻抗  開關(guān)電源  

MOSFET應(yīng)用案例解析

  • 1.開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  應(yīng)用案例  

MOSFET的選型基礎(chǔ)

  • MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  選型  應(yīng)用概覽  

求解每個熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù)，...
  • 關(guān)鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  

功率器件更加智能，高能效功率電子技術(shù)新進展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術(shù)得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  工藝材料  MOSFET  

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

  • 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
  • 關(guān)鍵字： 大功率  開關(guān)電源  功率  MOSFET  驅(qū)動  

大功率MOSFET驅(qū)動技術(shù)詳解

  • 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關(guān)電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
  • 關(guān)鍵字： 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動  

汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
  • 關(guān)鍵字： 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件

  • 高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  N0413N  

高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
  • 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體  MOSFET  
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