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開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

  • 1引言開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
  • 關(guān)鍵字： 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開關(guān)電源  

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個(gè)PIN腳功能(上接第
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大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

  • 計(jì)算功率耗散　　要確定一個(gè)MOSFET場效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
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適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

  • 摘要
    　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
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計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散

  • 中心議題： 計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設(shè)定輸入電壓范圍 改變開關(guān)頻率
    也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實(shí)上
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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營。
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  UCC27210  

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

  • 中心議題： 二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案： 采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流 采用兩臺(tái)SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
    測試半導(dǎo)體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
  • 關(guān)鍵字： 電流  測量  MOSFET  二極管  泄漏  

Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  

汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)

  • UCC27321高速驅(qū)動(dòng)MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì),1　引言

    　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 關(guān)鍵字： 應(yīng)用  設(shè)計(jì)  芯片  MOSFET  高速  驅(qū)動(dòng)  UCC27321  

智能MOSFET驅(qū)動(dòng)器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計(jì)方案

  • 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性?！　CD
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  數(shù)字控制電源  設(shè)計(jì)方案    

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件?？其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統(tǒng)硅器件相比，可實(shí)現(xiàn)更高的能源效率。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  SiC  MOSFET  

飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計(jì)解決方案

  • 便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員通常在設(shè)計(jì)的每個(gè)階段都會(huì)面對(duì)減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中，這是一個(gè)特別重要的問題。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體  MOSFET  FDMB2307NZ  
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