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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

  • 新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。　　便攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能

    1 LM
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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

  • 隨著個人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

  • 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級驅(qū)動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?；鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
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新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動器

  • 為了減輕對環(huán)境的影響，最新的電子設(shè)備急需高效率化，并且對其中配備的電機(jī)、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設(shè)計(jì)工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動知識也是必不可少。
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用。
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英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　　新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
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Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動器

  • 2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL）今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動能力的雙通道MOSFET驅(qū)動器---ISL89367。此款獨(dú)特器件為設(shè)計(jì)人員提供了高速驅(qū)動多個并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器和D類放大器等應(yīng)用。
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英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

  • 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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淺談如何提升輕載能效及降低待機(jī)功耗

  • 隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及，辦公自動化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品具有了待機(jī)功能，以隨時...
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MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)

  • 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖

  • 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道M...
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安森美半導(dǎo)體推出汽車級非同步升壓控制器

  • 　　應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。 　　NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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NXP推出超緊湊型中等功率MOSFET

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計(jì)。 　　
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