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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線

  •   英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產的第35億顆CoolMOS高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應商。通過不斷改進芯片架構,使得CoolMOS晶體管技術不斷優(yōu)化,這為取得成功奠定了堅實基礎。   
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

安森美半導體推出6款單通道功率MOSFET

  •   應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET,用于汽車模塊,采用小型扁平引腳(FL)封裝。   
  • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

IR推出車用平面MOSFET系列

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列,適用于內燃機 (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應用。   
  • 關鍵字: IR   MOSFET  

在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗

  • 摘要:升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率,設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中,利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言  在開關電源設計中,效率是一個關鍵性的參
  • 關鍵字: 減少  開關  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓  

安森美半導體推出六款汽車用功率MOSFET器件

  • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認證,采用小型扁平引腳封裝,兼具大額定電流及低導通阻抗,針對汽車...
  • 關鍵字: MOSFET  安森美半導體  

UniFET?II MOSFET功率轉換器[飛兆半導體]

電源設計小貼士 28:估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
  • 關鍵字: 溫升  1部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  

電源設計小貼士 29:估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

  • 在本《電源設計小貼士》中,我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設計小貼士28》中,我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統(tǒng)組件的物理屬性
  • 關鍵字: 溫升  2部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

  •  本電源設計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。
  • 關鍵字: MOSFET  熱插拔  方案    

估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
  • 關鍵字: MOSFET  溫升  

MOSFET雪崩能量的應用考慮

  •  在功率MOSFET的數據表中,通常包括單脈沖雪崩能量EAS,雪崩電流IAR,重復脈沖雪崩能量EAR等參數,而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中,很少考慮到這些參數與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系,如何在實際的應用中
  • 關鍵字: 考慮  應用  能量  雪崩  MOSFET  

國際整流器公司擴大汽車專用MOSFET 組合

  •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。   
  • 關鍵字: IR  MOSFET  

RF功率MOSFET產品及工藝

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: 3G  MOSFET  RF功率放大器  RF  

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

  •   恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,擁有業(yè)界最低RDSon,4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,專門針對4.5V開關應用優(yōu)化,采用LFPAK封裝技術,是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術已專門針對高性能DC-DC轉換應用進行了優(yōu)化,例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調節(jié)器、同步整流器。   技術要點:   &mi
  • 關鍵字: 恩智浦  MOSFET  
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