首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> vd-mosfet

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動方案選擇:變壓器還是硅芯片?

  •   在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下,提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比,雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此,在注重高能效的應(yīng)用中,軟開關(guān)技術(shù)越來越受設(shè)計(jì)人員青睞。   另一方面,半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應(yīng)用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅(qū)動器,即高端(High-Side)驅(qū)動器和低端(Low-Side)驅(qū)動器。高端表示M
  • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  變壓器  硅芯片  

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

  •   國際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布,通過其在線目錄RS Online(RS在線:http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。   此次推出的產(chǎn)品中,除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動閃光用IGBT產(chǎn)品以外,還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。 通過驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
  • 關(guān)鍵字: RS  MOSFET  IGBT  

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。   這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
  • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  HEXFET  

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

  •   PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件,新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成,其內(nèi)部均集成有一個725 V功率MOSFET,適用于設(shè)計(jì)反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法,可提高整個負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高,因此可減少正常工作期間的功率消耗量,同時降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費(fèi)用支出。在低輸入功率水平下,高效率還可使適配器的空載功耗降至最低,增大待機(jī)模式下對系統(tǒng)的供電量,這一點(diǎn)特別適用于受到能效標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。  
  • 關(guān)鍵字: PI  功率轉(zhuǎn)換IC  TOPSwitch-JX  MOSFET  

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動芯片的功能與應(yīng)用

  • 基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動芯片的功能與應(yīng)用,1 引言

      隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮,為驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 關(guān)鍵字: 芯片  功能  應(yīng)用  驅(qū)動  MOSFET  UCC27321  高速  基于  

飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

  •   飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能,并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列,可應(yīng)對工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。   FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件,可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm,在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
  • 關(guān)鍵字: Fairchild  MOSFET  電源  

飛兆半導(dǎo)體在IIC China展會上展示功率技術(shù)和移動技術(shù)

  •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會上,展示其最新的功率技術(shù)和移動技術(shù)。時間及地點(diǎn)分別是3月4至5日于深圳會展中心2號展館2K19展臺,以及3月15至16日于上海世貿(mào)商城四樓8H01展臺。   智能移動解決方案:   飛兆半導(dǎo)體將展示其豐富的模擬技術(shù)產(chǎn)品系列,以及相關(guān)的定制解決方案和系統(tǒng)級專有技術(shù),這些產(chǎn)品及方案在解決移動領(lǐng)域之設(shè)計(jì)和應(yīng)用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如,飛兆半導(dǎo)體的業(yè)界最小的USB附件開關(guān)FSA800將所有主
  • 關(guān)鍵字: 飛兆  功率  智能移動  MOSFET  

馬達(dá)設(shè)計(jì)中提升更高的效率

  •   中心議題:   馬達(dá)的結(jié)構(gòu)   提升馬達(dá)工作的效率   解決方案:   正弦脈沖調(diào)制控制方式   智能功率模塊   近些年來,家用電器對節(jié)能的要求變得越來越強(qiáng)烈。這是很顯然的,僅電冰箱所消耗的能量就超過家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達(dá)主要在低速運(yùn)轉(zhuǎn),就有非常大的節(jié)能潛力,通過在低速驅(qū)動器中簡單改進(jìn)馬達(dá)的驅(qū)動效率就能實(shí)現(xiàn)。   同樣,據(jù)估計(jì)工業(yè)用電的65%被電驅(qū)動馬達(dá)所消耗,毫無疑問,商家正逐漸意識到節(jié)能將成為改善收益率和競爭能力的關(guān)鍵。在電驅(qū)動馬達(dá)中降低能量消耗有兩種主要的方式:改善
  • 關(guān)鍵字: 工業(yè)電子  馬達(dá)  MOSFET  

英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

  •   英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示會上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過優(yōu)化,適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。   通過大幅降低三個關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS  

開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)薈萃

  • 功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為開關(guān)電源(switch-mode power supplies,SMPS)整流組件的最佳選擇,專用MOSFET驅(qū)動器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
  • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  薈萃  驅(qū)動  MOSFET  功率  開關(guān)電源  電源  

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

  •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,介紹了 VENUS,他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002,CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008,其最大漏電流額定分別為2A,4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。   VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
  • 關(guān)鍵字: CISSOID  MOSFET  晶體管  

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

  •   應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設(shè)計(jì)適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應(yīng)用的強(qiáng)固要求,在這些應(yīng)用中,加快導(dǎo)通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機(jī)、打印機(jī)和筆記本電源適配器,及應(yīng)用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。   這些新的500 V和60
  • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  功率開關(guān)  

NXP 推出全新60 V和100 V晶體管

  •   恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管,擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝,支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性,為客戶提供眾多實(shí)用價值。   LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝,通過優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101唯一認(rèn)可的
  • 關(guān)鍵字: NXP  晶體管  MOSFET  

NexFETTM:新一代功率 MOSFET

  • 1對于理想開關(guān)的需求功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān),例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開關(guān)。作為負(fù)載開關(guān)使用時,由于切換時間通常較長,因此裝置的成本、尺寸及導(dǎo)通電阻
  • 關(guān)鍵字: NexFETTM  MOSFET    

利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能

  • 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。   UC
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  數(shù)字控制電源  性能    
共1265條 71/85 |‹ « 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 » ›|

vd-mosfet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條vd-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對vd-mosfet的理解,并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

VD-MOSFET    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473