xl-flash 文章進(jìn)入xl-flash技術(shù)社區(qū)

掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元，因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，須搭配使用控制器，透過(guò)硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理，以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲(chǔ)存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來(lái)降低成本，在售價(jià)大幅下降情況下，愈來(lái)愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢(shì)，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆m然NAND Flash短期內(nèi)受到供過(guò)于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
關(guān)鍵字： NAND Flash SSD

中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過(guò)于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
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科技行業(yè)為Flash準(zhǔn)備“葬禮”

過(guò)去多年時(shí)間里，來(lái)自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富，然而，F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，F(xiàn)lash應(yīng)當(dāng)走向消亡。
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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。　　　　圖1存儲(chǔ)部分原理框圖　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動(dòng)流程　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動(dòng)后會(huì)重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。　　VxWorks內(nèi)核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長(zhǎng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績(jī)雙雙下滑。　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日?qǐng)?bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長(zhǎng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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儲(chǔ)存市場(chǎng)新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待

　　儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場(chǎng)。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來(lái)將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。　　據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲(chǔ)存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠
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大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
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半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)

　　2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
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淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過(guò)于求

　　根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。　
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國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺(tái)廠合作大門

　　存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能，顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺(tái)廠合作大門。　　半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開大反撲。
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NAND Flash價(jià)格續(xù)滑　難擺脫供給過(guò)剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫(kù)存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
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