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EEPW首頁 >> 主題列表 >> xl-flash

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

  • 　　摘要：本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子，詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。 　　1 背景描述 　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
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上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)

  • 　　今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。 　　專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 　　處于從專用向通用MCU升級的開端 　　MCU(單片機(jī)，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī)，而日本、
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基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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競逐eMMC商機(jī)　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
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FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

  • 　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
  • 關(guān)鍵字： Flash  驅(qū)動  FPGA  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  • 　　靜態(tài)隨機(jī)存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
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基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

  • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
  • 關(guān)鍵字： MSP430G  單片機(jī)  Flash  擦寫壽命    

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

  • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
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ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
  • 關(guān)鍵字： ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

AVR的主要特性

  • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
  • 關(guān)鍵字： AVR單片機(jī)  ATMEL  Flash  

缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法

  • 對FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手： 一、盡量使用高級語言開 ...
  • 關(guān)鍵字： 仿真器時(shí)  avr單片機(jī)  FLASH  

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

  • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
  • 關(guān)鍵字： ARM編程  Flash  ROM驅(qū)動    
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