重磅新品｜清純半導(dǎo)體推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

來源：碳化硅芯觀察

市場(chǎng)動(dòng)態(tài)：近日，清純半導(dǎo)體發(fā)布了國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC MOSFET器件平臺(tái)產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)品空白。

國(guó)內(nèi)頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導(dǎo)體」日前宣布發(fā)布國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺(tái)產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)15V驅(qū)動(dòng)SiC Mosfet產(chǎn)品空白，使得國(guó)內(nèi)SiC功率器件技術(shù)躋身國(guó)際領(lǐng)先水平。據(jù)悉，公司首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單，后續(xù)將陸續(xù)推出該平臺(tái)下的系列規(guī)格產(chǎn)品。

自中國(guó)明確雙碳目標(biāo)以來，我國(guó)新能源行業(yè)進(jìn)入跨越式發(fā)展階段。新能源汽車行業(yè)正步入爆發(fā)期，這也催生出了巨大的功率器件市場(chǎng)。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，正成為新一代電力轉(zhuǎn)換的核心器件，已在新能源汽車、光伏逆變器、儲(chǔ)能等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，顯著提高了電力轉(zhuǎn)換效率。國(guó)家“十四五”計(jì)劃點(diǎn)名發(fā)展“碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體”，希望國(guó)內(nèi)廠商能夠盡快追趕國(guó)際水平，推出自主可控的產(chǎn)品。

SiC Mosfet作為應(yīng)用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國(guó)內(nèi)相關(guān)行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、陽光電源和華為等的旗艦產(chǎn)品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴(kuò)大。但SiC Mosfet相關(guān)核心技術(shù)始終未被突破，在產(chǎn)品性能和可靠性方面與國(guó)際主流產(chǎn)品仍有較大差距，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要被國(guó)外廠商占據(jù)。

據(jù)悉，該器件主要有18V驅(qū)動(dòng)和15V驅(qū)動(dòng)兩個(gè)類型，其中15V驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)更加明顯：

客戶采用15V驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，一是系統(tǒng)可以更好兼容目前IGBT驅(qū)動(dòng)電路；

二是進(jìn)一步提升了器件的可靠性，同時(shí)降低了驅(qū)動(dòng)損耗；

三是國(guó)內(nèi)驅(qū)動(dòng)芯片廠商大多供應(yīng)15V的驅(qū)動(dòng)芯片，國(guó)產(chǎn)配套容易。

同時(shí)，15V驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品開發(fā)難度更大，對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)水平和制造工藝的要求更高，經(jīng)過近年來的努力，國(guó)內(nèi)已有個(gè)別廠家能夠少量提供18V驅(qū)動(dòng)的SiC Mosfet產(chǎn)品，但國(guó)際主流廠商已開始大力推廣15V驅(qū)動(dòng)的SiC Mosfet,加快對(duì)傳統(tǒng)硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品的替代，由此進(jìn)一步拉開了與國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)代差。

清純半導(dǎo)體此次發(fā)布的15V驅(qū)動(dòng)的1200V SiC Mosfet器件平臺(tái)產(chǎn)品首次填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該系列產(chǎn)品空白，帶領(lǐng)國(guó)內(nèi)SiC功率器件技術(shù)躋身國(guó)際領(lǐng)先水平。相比國(guó)際主流產(chǎn)品，本次清純半導(dǎo)體推出的15V驅(qū)動(dòng)1200V SiC Mosfet器件產(chǎn)品，具有更低的導(dǎo)通損耗、更低的熱阻、較低開關(guān)損耗，綜合損耗更小，效率更高。

下表是清純半導(dǎo)體Mosfet與國(guó)際一流產(chǎn)品（源于各產(chǎn)品的規(guī)格書）的比較：

清純半導(dǎo)體基于自主工藝開發(fā)的國(guó)產(chǎn)1200V SiC Mosfet系列產(chǎn)品一經(jīng)推出即得到市場(chǎng)的熱烈響應(yīng)，據(jù)碳化硅芯觀察了解，公司首款1200V 75mΩ SiC Mosfet產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級(jí)測(cè)試并獲得國(guó)內(nèi)領(lǐng)先新能源逆變器制造商的批量訂單。

  清純半導(dǎo)體 

清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅功率器件設(shè)計(jì)和供應(yīng)商，去年底宣布完成高瓴創(chuàng)投領(lǐng)投的數(shù)億元首輪融資。公司擁有國(guó)際領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，始終瞄準(zhǔn)國(guó)際技術(shù)前沿，以提供國(guó)際一流的碳化硅功率芯片為己任。

公司成立一年來，技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展迅速，目前已突破國(guó)產(chǎn)SiC功率器件設(shè)計(jì)及大規(guī)模制造瓶頸，在極短時(shí)間內(nèi)先后開發(fā)出自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC二極管及 Mosfet器件產(chǎn)品，產(chǎn)品先后通過車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，是目前國(guó)內(nèi)唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國(guó)際一流水平、并且基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)SiC  Mosfet的企業(yè)。

目前，清純半導(dǎo)體已完成1200V全系列碳化硅功率器件的產(chǎn)品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等規(guī)格SiC SBD（碳化硅-肖特基二極管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大電流車載芯片等規(guī)格SiC Mosfet（18V和15V驅(qū)動(dòng)可選）。

其供應(yīng)的SiC器件具有國(guó)際先進(jìn)水平的卓越性能，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域，可直接實(shí)現(xiàn)SiC器件的國(guó)產(chǎn)替代，同時(shí)具備高可靠性、兼容IGBT驅(qū)動(dòng)電壓等優(yōu)勢(shì)，豐富的產(chǎn)品系列能夠滿足諸多目標(biāo)應(yīng)用的需求，進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)高性能功率芯片的發(fā)展和應(yīng)用。