碳化硅8英寸雙線圈感應(yīng)爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個(gè)新?tīng)t型

 

在碳化硅8英寸時(shí)代到來(lái)之際，隨著坩堝的直徑增長(zhǎng)，感應(yīng)線圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會(huì)隨之增大，而這樣的參數(shù)變化不適合大直徑的晶體生長(zhǎng)。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長(zhǎng)爐，以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術(shù)，更優(yōu)化解決晶體的長(zhǎng)大、長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚的行業(yè)需求。這就突顯SiC感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐的技術(shù)落后，為了對(duì)應(yīng)行業(yè)客戶(hù)的使用慣性及Know-How的延續(xù)，恒普科技推出了雙線圈感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐，并且同時(shí)推出石英管（雙線圈外置）和金屬殼（雙線圈內(nèi)置）兩款全新?tīng)t型。

 

雙線圈的技術(shù)并不是新的技術(shù)路線，但是雙線圈的相互干擾，特別是在坩堝中的發(fā)熱互相干擾，對(duì)工藝調(diào)整存在很大難度，物質(zhì)流傳輸及通道沉積都存在難點(diǎn)，為了克服8英寸感應(yīng)晶體生長(zhǎng)爐的問(wèn)題點(diǎn)，恒普科技解決了雙線圈對(duì)石墨坩堝的溫度上下無(wú)法分離，做到了【準(zhǔn)軸徑分離】，并將技術(shù)同時(shí)使用在了兩種爐型上，滿(mǎn)足更多客戶(hù)的使用習(xí)慣。

 

 

·坩堝區(qū)域溫度分離  （相對(duì)分離）

·采用特殊定制石墨硬氈

·雙水平式線圈

·獨(dú)特的二次發(fā)熱體

·坩堝與熱場(chǎng)分離

·物質(zhì)流的傳輸導(dǎo)流控制

注：以上功能不是2款爐型都有。

 

 

·坩堝區(qū)域溫度分離

·方便原工藝過(guò)渡

·水平螺旋線圈，提高磁場(chǎng)平衡與雙線圈匹配

 

技術(shù)特點(diǎn)：

·爐下方向出料，解決8英寸坩堝上取料的不便

·出料時(shí)，坩堝與熱場(chǎng)自動(dòng)分離，提高爐次的重復(fù)性

·獨(dú)特的二次發(fā)熱體

·優(yōu)化內(nèi)置線圈絕緣

·橫向多點(diǎn)測(cè)溫

·采用特殊定制石墨硬氈