193i光刻技術(shù)再次走向舞臺中心
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來源：本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自semiengineering
更多的芯片將使用成熟的、不那么昂貴的設(shè)備來開發(fā)。
創(chuàng)建更小特征的尖端光刻技術(shù)越來越多地被成熟工藝節(jié)點(diǎn)的光刻技術(shù)的改進(jìn)所補(bǔ)充，隨著SoC和復(fù)雜的芯片被分解和集成到先進(jìn)的封裝中，這兩者都是必需的。
直到7納米時(shí)代，領(lǐng)先的芯片制造商的主要目標(biāo)是使用相同的工藝技術(shù)將所有的東西封裝到一個(gè)系統(tǒng)芯片（SoC）上。從那時(shí)起，這些芯片越來越多地被分離成獨(dú)立的芯片、小芯片或模塊，使芯片制造商能夠增加許多新的功能，而這些功能以前由于EUV網(wǎng)罩的面積有限（858mm2）而被擱置。這種分解也允許芯片制造商在任何最合理的工藝技術(shù)中保留模擬功能，如射頻和電源，而不需要用模擬組件創(chuàng)建大部分?jǐn)?shù)字功能的費(fèi)用和麻煩（通常稱為大D/小A）。
英特爾代工服務(wù)公司、三星代工公司和臺積電繼續(xù)支持ASML開發(fā)更先進(jìn)的光刻設(shè)備--據(jù)說每臺新的高NA EUV掃描儀的價(jià)格為3.4億美元，如果超NA EUV真的出現(xiàn)在未來的某個(gè)節(jié)點(diǎn)上，價(jià)格可能更高。但更緊迫的問題是如何擴(kuò)展193納米的浸入式技術(shù)，據(jù)GlobalFoundries稱，該技術(shù)估計(jì)占所有半導(dǎo)體的80%。從電氣化車輛和充電站到醫(yī)療設(shè)備，甚至是服務(wù)器中不太關(guān)鍵的功能，都將需要這些芯片。
“你將優(yōu)化你所擁有的任何光刻技術(shù)，"HJL光刻公司的首席光刻師Harry Levinson說。"現(xiàn)在有兩件事情在發(fā)揮作用，而且它們是相關(guān)的。一個(gè)是反光刻技術(shù)，它允許你最大化你的工藝窗口，所以你可以從任何給定的光學(xué)系統(tǒng)中的任何給定的波長中擠出更多一點(diǎn)。這在過去一直被計(jì)算的速度所阻礙。它太慢了，無法應(yīng)用于整個(gè)芯片，甚至對電路的小部分來說也幾乎不切實(shí)際。但是它的速度正在加快，人們已經(jīng)將它應(yīng)用于越來越大的布局部分。我們準(zhǔn)備能夠?qū)⑵鋺?yīng)用于整個(gè)芯片。至少有一家公司，美光，提交了一篇論文，說這就是他們正在做的事情。"
與此相關(guān)的是打印弧形特征而不是直線特征的能力。Levinson說："你用曲線特征得到的工藝窗口要比直線近似的好。有一些障礙，人們正在努力解決這些問題。但是使用曲線特征是最近的日本Photomask[2023]會議的最大話題之一，當(dāng)然也是2月份的[SPIE]高級光刻和圖案會議的一個(gè)話題。"
雖然使用高NA EUV將一些數(shù)字邏輯縮小到1納米以下范圍的需求將繼續(xù)存在，但193納米深紫外（DUV）范圍的增長同時(shí)也在爆發(fā)，這正是許多芯片和模擬功能正在開發(fā)的地方。
衡量193納米活躍程度的一個(gè)好標(biāo)準(zhǔn)是200毫米晶圓的產(chǎn)能。SEMI市場情報(bào)團(tuán)隊(duì)的高級主管Clark Tseng估計(jì)，全球產(chǎn)能將從2023年的每月690萬片增長到2026年的750萬片，增幅為8.7%。他指出，至少在目前，200毫米的傳統(tǒng)工藝在芯片架構(gòu)中的作用將是有限的。
今天，芯片的使用僅限于最大的芯片制造商，而且?guī)缀跛羞@些芯片都是內(nèi)部開發(fā)的。但是，隨著芯片組的商業(yè)化，這種情況將逐漸改變，對DUV容量的需求可能會因此而增長。
Amkor Technology公司高級封裝開發(fā)和技術(shù)集成副總裁Mike Kelly說：“人們強(qiáng)烈希望能夠混合和匹配功能，而不必為每個(gè)市場分類重新設(shè)計(jì)每個(gè)定制die。這正在變得可行和具有成本效益，你看到系統(tǒng)架構(gòu)師真正開始利用它了。隨著我們顯示越來越多的東西已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，這些架構(gòu)師將這么做。"
有許多方法來設(shè)計(jì)片上系統(tǒng)，或由高級封裝中的芯片或小芯片組成的系統(tǒng)。除非外形因素決定了需要把所有東西都塞進(jìn)盡可能小的區(qū)域，否則在許多情況下，在成熟節(jié)點(diǎn)上開發(fā)的具有DUV的芯片或芯片組的集合，并使用高速接口進(jìn)行封裝，可能就足夠了，而且成本要低得多。
"我們的22FDX就是出于這樣的考量，"GlobalFoundries的首席技術(shù)官Gregg Bartlett在去年的一次采訪中說。"它就像一把瑞士軍刀。你可以做超低的泄漏。你可以做超低功率。你可以做毫米波。你可以把高電壓放在上面，因?yàn)槟憧梢杂肧OI器件在上面批量制造器件，當(dāng)然你可以用客戶想要的任何東西加快上市時(shí)間。"
從不同的材料和架構(gòu)，到使用現(xiàn)有技術(shù)的不同方式，選擇的數(shù)量正在增加。鑒于業(yè)界對雙重圖案的熟悉，其中大部分是由于在將EUV推向市場方面一再拖延而造成的，193納米光刻技術(shù)已被廣泛證明可低至14納米。
"雖然EUV晶圓廠的頂尖人才都在從事EUV工作，但大多數(shù)晶圓廠一般都沒有（也不打算擁有）EUV，"D2S的首席執(zhí)行官Aki Fujimura說。"因此，業(yè)內(nèi)有很多頂尖人才有時(shí)間從事非EUV前沿工作，并繼續(xù)縮小規(guī)模，特別是通過使用具有網(wǎng)紋增強(qiáng)技術(shù)（RET）組合的光罩，包括曲線特征。"
三家頂級代工廠繼續(xù)使用DUV和EUV，但其他所有人都有很大機(jī)會利用193納米工藝的現(xiàn)有投資。然而，在193納米的前沿，晶圓廠在實(shí)現(xiàn)亞納米對準(zhǔn)精度、最大化設(shè)備利用率和提高整體產(chǎn)量方面面臨許多挑戰(zhàn)。
西門子EDA產(chǎn)品開發(fā)高級總監(jiān)John Sturtevant說："在半導(dǎo)體領(lǐng)域，有很多錢可以賺，而我們往往在某種程度上忽略了這一點(diǎn)。"極少數(shù)公司正在關(guān)注EUV，并最終關(guān)注High NA EUV，但有許多公司已經(jīng)在193納米進(jìn)行了投資，并可能在幾年后對浸入式進(jìn)行投資。這些公司擁有大量的產(chǎn)能，問題是如何使他們能夠以最高的產(chǎn)量盡可能地推動這些分辨率。
CD = k1 · λ/NA在雷利方程中，CD是可能的最小特征尺寸，λ是光的波長，NA是所用掃描儀上鏡頭的數(shù)值孔徑。NA定義了有多少光可以通過，而k1是一個(gè)由多種可能過程組成的系數(shù)。
浸入式光刻技術(shù)
浸入式光刻技術(shù)是一種在投影鏡頭和晶圓之間使用液體介質(zhì)（通常是水）來增加數(shù)值孔徑（NA），提高光刻工藝的分辨率。液體介質(zhì)還能增加聚焦深度，并有助于減少晶圓表面地形變化的影響，從而使工藝流程有更大的自由度并提高產(chǎn)量。浸入式光刻技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的首次實(shí)際應(yīng)用發(fā)生在2006年左右，作為一種解決方案，它將光學(xué)光刻技術(shù)的極限推到了干式光刻技術(shù)所能實(shí)現(xiàn)的范圍之外，因?yàn)镋UV的推廣出現(xiàn)了多次延誤。
液體浸泡在液體處理和污染控制方面帶來了新的挑戰(zhàn)。專門的浸泡系統(tǒng)被開發(fā)出來以處理、分配和有效回收浸泡液。保持浸泡液的清潔度對于避免平版印刷過程中的缺陷和產(chǎn)量問題至關(guān)重要。
由于浸泡液的存在，浸泡式光刻技術(shù)還對掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生了額外的限制。浸泡液和掩膜之間的相互作用會導(dǎo)致透鏡效應(yīng)并改變圖像質(zhì)量。設(shè)計(jì)能夠承受液體相互作用并確保準(zhǔn)確的掩模一直是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。
多重圖案制作多重圖案技術(shù)是一種將復(fù)雜的圖案分解成多個(gè)較簡單的圖案的技術(shù)，然后將這些圖案在晶圓上單獨(dú)曝光并組合成所需圖案。該技術(shù)最初是在20世紀(jì)90年代初作為補(bǔ)充性相移掩模技術(shù)進(jìn)行探索的，但其在生產(chǎn)中的實(shí)用性被認(rèn)為是值得懷疑的。然而，由于EUV技術(shù)的延遲不斷將該工藝推向更遠(yuǎn)的地方，該行業(yè)最終被迫在2000年代中期接受多圖案技術(shù)，以使摩爾定律得以繼續(xù)，并促進(jìn)向先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的過渡。
Sturtevant說："由于無法繞過波長限制或數(shù)值孔徑，我們看到越來越多的公司投資于雙重圖案技術(shù)，以達(dá)到更低的節(jié)點(diǎn)，從45納米到28納米到22納米。雙圖案，以及延伸的多圖案，是減少瑞利準(zhǔn)則k1系數(shù)的終極騙局，因?yàn)橹灰阕鲭p圖案，你就會把它切成一半。"
在過去的十年里，人們已經(jīng)做了大量的工作來開發(fā)高效的算法，將輸入設(shè)計(jì)分解成兩個(gè)、三個(gè)甚至四個(gè)掩模。存儲器制造商特別青睞于自對準(zhǔn)雙圖案或自對準(zhǔn)四圖案，利用工藝的獨(dú)創(chuàng)性，包括沉積和蝕刻技術(shù)。
"目前的浸入式193掃描儀的最小分辨率，1.35NA，是80納米，通過雙重圖案化，這將下降到40納米間距（20納米線x20納米空間），"imec的高級圖案化總監(jiān)Phillipe Leray說。"通過應(yīng)用間距除以4，可以降低到20至21納米間距的基本規(guī)則。關(guān)鍵尺寸均勻性的控制受到核心結(jié)構(gòu)的間距'行走'現(xiàn)象的限制，而塊狀和通孔層的邊緣放置誤差是關(guān)鍵的限制，但業(yè)界已經(jīng)建立了強(qiáng)大的經(jīng)驗(yàn)。今天達(dá)到的控制水平是成熟的，非常有競爭力"。
自對準(zhǔn)雙重圖案（SADP）、自對準(zhǔn)四重圖案（SAQP）和自對準(zhǔn)光刻蝕（SALELE）等技術(shù)都是多圖案解決方案。這些工藝依賴于間隔物沉積技術(shù)，主要是原子層沉積（ALD），它能夠控制所產(chǎn)生的關(guān)鍵尺寸（CD）。
對掩膜的重新思考
曲線掩膜為改善亞分辨率輔助特征（SRAFs）和擴(kuò)大工藝窗口提供了一個(gè)令人感興趣的機(jī)會。盡管SRAF技術(shù)從I線光刻時(shí)代就開始使用，但聚焦深度的進(jìn)步突出了從直線型（曼哈頓）SRAF到曲線型SRAF的好處。
Fujimura說："只要能準(zhǔn)確地寫入掩模，并在合理的時(shí)間/成本內(nèi)寫入掩模，彎曲的掩模就能提供卓越的晶圓結(jié)果。在給定的抗蝕劑和寫入方法下，多光束可以在恒定的時(shí)間內(nèi)寫入任何形狀。可變形狀光束（VSB）的寫入時(shí)間是射出次數(shù)的函數(shù)，但掩膜-晶片共同優(yōu)化（MWCO）結(jié)合了重疊的VSB射出，并通過評估基于掩膜-晶片雙重模擬的射出位置，以較少的射出次數(shù)產(chǎn)生卓越的晶片質(zhì)量。我們最近的結(jié)果顯示，與傳統(tǒng)的（非曲線）光學(xué)接近校正（OPC）相比，射孔數(shù)更多，晶圓工藝窗口更優(yōu)。"
向曲線型SRAF的過渡可以產(chǎn)生約20%的工藝窗口增強(qiáng)。雖然它不是193納米及以上技術(shù)的必需品，但它已被證明對較小的節(jié)點(diǎn)有價(jià)值。多光束掩膜寫入器的出現(xiàn)促進(jìn)了曲線掩膜的采用，打破了長期以來掩膜成本與拍攝次數(shù)掛鉤的模式。雖然曲線掩膜會增加成本，但與EUV光刻技術(shù)的投資相比，它們相對較小。
"在EUV開始進(jìn)入大批量制造（HVM）的同時(shí)，業(yè)界開始采用多光束掩模寫入器，"Fujimura說。"實(shí)際上現(xiàn)在所有的EUV掩模都是用多光束掩模寫入器寫入的，但上一代的可變形光束掩模寫入器仍然在今天的掩模市場中占主導(dǎo)地位。"
圖1：由eBeam Initiative進(jìn)行的2022年度Luminaries調(diào)查確定了制造曲線型掩模的挑戰(zhàn)。面具車間的軟件基礎(chǔ)設(shè)施是最令人擔(dān)憂的。來源：eBeam InitiativeEDA工具在自動處理直線形狀方面非常出色，但在處理曲線方面就差得多了。"如果他們真的開始在設(shè)計(jì)中加入曲線特征，那就太好了，"HJL的Levinson說。"這是下一步。那里有一大堆東西，比如你如何做定位和路線？一旦你這樣做了，就得處理寄生提取的問題。"
用于過程控制的OLE從擴(kuò)展193納米技術(shù)的技術(shù)中獲得更高的產(chǎn)量的一個(gè)關(guān)鍵因素是過程控制的OLE（OPC）。半導(dǎo)體工廠使用來自不同制造商的許多設(shè)備，每個(gè)設(shè)備都有自己的通信協(xié)議。OPC作為一個(gè)框架，使參與制造過程的各種軟件應(yīng)用、設(shè)備和控制系統(tǒng)之間實(shí)現(xiàn)無縫通信和集成。OPC為集成和優(yōu)化設(shè)備性能提供了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的接口。通過在設(shè)備上實(shí)施OPC服務(wù)器和控制系統(tǒng)中的OPC客戶端，制造商可以收集實(shí)時(shí)設(shè)備數(shù)據(jù)，執(zhí)行設(shè)備健康監(jiān)測，并實(shí)施預(yù)測性維護(hù)策略。這種集成和優(yōu)化有助于通過最大限度地減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間，減少變異性，并確保有效的過程控制來提高產(chǎn)量。
OPC實(shí)現(xiàn)了實(shí)時(shí)過程監(jiān)測和控制，使制造商能夠密切監(jiān)測整個(gè)制造過程的關(guān)鍵參數(shù)和變量。在193納米技術(shù)的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，精確控制是至關(guān)重要的，OPC有利于收集和分析來自多個(gè)來源的數(shù)據(jù)，如傳感器、執(zhí)行器和計(jì)量設(shè)備。這種實(shí)時(shí)監(jiān)控有助于識別工藝偏差，并實(shí)現(xiàn)快速糾正措施，最終提高產(chǎn)量，減少制造缺陷。
隨著行業(yè)在推動193納米光刻技術(shù)領(lǐng)先方面的進(jìn)展，OPC已經(jīng)成為一種標(biāo)準(zhǔn)做法。處于技術(shù)前沿的公司已經(jīng)采用OPC來克服與較小節(jié)點(diǎn)和193納米光刻技術(shù)有關(guān)的挑戰(zhàn)。
OPC和曲線掩膜的結(jié)合是一種強(qiáng)大的方法，通過將邊緣放置誤差降至亞納米公差來提高產(chǎn)量和精度。OPC模擬的準(zhǔn)確性得到了在線驗(yàn)證需求的補(bǔ)充，這也推動了先進(jìn)計(jì)量技術(shù)的采用。
機(jī)器學(xué)習(xí)
半導(dǎo)體制造商正在擁抱機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）的力量，兩者都是人工智能（AI）的子集，以解決復(fù)雜的挑戰(zhàn)，并在其193納米工藝中釋放新的機(jī)會。ML算法分析光刻過程中產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，能夠更快和更準(zhǔn)確地識別關(guān)鍵特征和潛在問題。
"人工智能的列車是停不下來的，"Sturtevant說。"但晶圓廠仍然不愿意將這些價(jià)值數(shù)百萬美元的掩模組交付給人工智能，因?yàn)?，如果在某些設(shè)計(jì)的某個(gè)層面上，或者在電路的某個(gè)地方，它做了一些奇怪的事情怎么辦？因此，在這方面還沒有定論，但機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)在尋找圖案熱點(diǎn)方面有很大的機(jī)會。如果你能通過分析提高功效，對工廠來說，這是一個(gè)節(jié)省數(shù)百萬美元的提議，否則，工廠必須使用大量的東西，如明場檢測計(jì)量學(xué)，在加工過程中發(fā)現(xiàn)這些東西。"
對大量數(shù)據(jù)集進(jìn)行訓(xùn)練的模式識別算法可以快速識別模式并優(yōu)化曝光參數(shù)，從而獲得更高的分辨率和更好的關(guān)鍵尺寸（CD）控制。使用ML算法的熱點(diǎn)檢測有助于識別容易出現(xiàn)光刻工藝故障的區(qū)域，從而可以采取主動措施來緩解這些問題。此外，由ML驅(qū)動的缺陷檢測系統(tǒng)提供實(shí)時(shí)分析，提高整體產(chǎn)量。"支持ILT/OPC是深度學(xué)習(xí)用于幫助半導(dǎo)體制造的最突出方式之一，但其他領(lǐng)域，如自動缺陷分類（ADC）、機(jī)器維護(hù)預(yù)測或故障識別也是深度學(xué)習(xí)貢獻(xiàn)的成熟領(lǐng)域，"Fujimura說。
通過分析工藝輸入和輸出之間復(fù)雜的相互作用，ML模型可以確定最佳工藝條件，使產(chǎn)量最大化，缺陷最小化。這種優(yōu)化導(dǎo)致了工藝效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，特別是在該行業(yè)探索新的途徑時(shí)，如芯片和三維包裝。
除了模式識別和缺陷檢測之外，ML在各種光刻應(yīng)用的數(shù)據(jù)處理中也發(fā)揮著關(guān)鍵作用。例如，ML可用于缺陷分類、電子束圖像去噪和電氣性能預(yù)測。
其他選擇
光刻技術(shù)并不是創(chuàng)建芯片的唯一方法。大多數(shù)光刻技術(shù)是用于在硅或其他材料上蝕刻線條。一些結(jié)構(gòu)也可以用定向自組裝的方式均勻地生長，盡管目前它更多地被用來固定圖案，而不是在掩?；蛐酒洗蛴∷鼈?。
"有幾種不同的方式來使用DSA，"Lam Research的計(jì)算產(chǎn)品副總裁David Fried說。"有一些圖案修復(fù)應(yīng)用，你仍然完成一個(gè)完整的圖案模塊，但你使用DSA來修復(fù)一些圖案的不均勻性，如缺孔缺陷或線邊緣粗糙度的平滑化。我已經(jīng)看到了DSA在這些類型的工藝流程中的精彩演示，而且我們很快就會看到DSA以這種方式使用。DSA并不取代沉積和圖案流程，它只是加強(qiáng)了它們。圖案倍增是DSA的一個(gè)有趣的方面，在那里你對一條線進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)，然后讓DSA工藝產(chǎn)生一個(gè)頻率倍增的版本。但這是相當(dāng)棘手的。業(yè)界在隔板輔助的多重圖案方面已經(jīng)做得很好了，所以DSA在取代隔板輔助的頻率倍增方面會有一個(gè)挑戰(zhàn)。此外，DSA的實(shí)際圖案增長可能還很遙遠(yuǎn)。這些是DSA的三個(gè)不同的潛在插入點(diǎn)。第一個(gè)可能會比較快地發(fā)生。第二種情況會很困難，因?yàn)闃I(yè)界在隔板輔助多圖案方面已經(jīng)有了令人難以置信的成就。我不確定第三個(gè)用例是否或何時(shí)會發(fā)生。"
展望未來將193納米工藝擴(kuò)展到更小的節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)在半導(dǎo)體制造中發(fā)揮重要作用。盡管存在挑戰(zhàn)和限制，但業(yè)界在開發(fā)多圖案技術(shù)以實(shí)現(xiàn)間距擴(kuò)展方面已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。間隔物沉積技術(shù)和光刻工藝的不斷進(jìn)步將進(jìn)一步完善對CDU和邊緣放置的控制，實(shí)現(xiàn)更小的間距基本規(guī)則。
此外，芯片和三維工藝/包裝的整合正在引入新的機(jī)會和復(fù)雜性。芯片設(shè)計(jì)師、光刻專家和封裝工程師之間的合作將是至關(guān)重要的，以確保有效的整合，同時(shí)保持高可靠性和性能。
利用ML算法進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和優(yōu)化將提高光刻工藝的整體效率和效果。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，它將見證由ML、先進(jìn)光刻技術(shù)和利潤優(yōu)化策略所推動的變革。設(shè)計(jì)的復(fù)雜性不斷增加，新材料的采用，以及對更高性能設(shè)備的需求，使其必須被采用。
Sturtevant說："如果你看一下未來8到10年的路線圖，我們將最終看到經(jīng)典的摩爾定律擴(kuò)展的結(jié)束，因?yàn)槭聦?shí)是，沒有人在研究低于13.5納米的波長，也沒有人真正在研究高于0.55的數(shù)值孔徑。在大約1.2納米或12埃的節(jié)點(diǎn)之后，我們不會有更小的間距。因此，問題是，我們將如何獲得創(chuàng)新？我認(rèn)為多圖案、曲線遮蔽、機(jī)器學(xué)習(xí)和三維集成是人們指向的主要東西，以實(shí)現(xiàn)更具成本效益的制造，在每個(gè)封裝中獲得更多功能。這將使大多數(shù)制造商不必投資于下一代的光刻設(shè)備。通過采用這些方法，他們可以保持在193納米，并使他們想要的任何種類的設(shè)備越來越強(qiáng)大，并保持低成本。"
結(jié)論將193納米工藝擴(kuò)展到更小的節(jié)點(diǎn)給半導(dǎo)體行業(yè)帶來了挑戰(zhàn)和機(jī)遇。盡管在控制CDU和邊緣放置方面存在困難，但多圖案和間隔物沉積技術(shù)在實(shí)現(xiàn)間距擴(kuò)展方面已顯示出前景。而ML技術(shù)促進(jìn)了光刻技術(shù)應(yīng)用的數(shù)據(jù)處理，優(yōu)化了決策和工藝參數(shù)。
盡管如此，為了在更小的節(jié)點(diǎn)上取得成功，以及為了創(chuàng)新的芯片架構(gòu)，確保193納米光刻技術(shù)與新興趨勢保持一致，芯片設(shè)計(jì)、光刻、封裝和AI/ML方面的專家仍需要加強(qiáng)合作。
-End-
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