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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 光刻技術(shù)

國產(chǎn)光刻膠通過量產(chǎn)驗證

  • 據(jù)中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主設(shè)計，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。據(jù)悉，該產(chǎn)品對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過驗證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。據(jù)了
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改變?摩爾定律的未來是粒子加速器嗎？

  • 位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認(rèn)為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術(shù)可能會更便宜、更快、更高效。
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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中科院研發(fā)者回應(yīng)5納米光刻技術(shù)突破ASML壟斷

  • 　　今年7月，在中國科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進展，中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發(fā)的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。該論文發(fā)表在《納米快報》（NanoLetters）。圖截自官網(wǎng)ACS官網(wǎng)　　消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一
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中科院：光刻技術(shù)是國內(nèi)外集成電路領(lǐng)域差距最大的環(huán)節(jié)

  • 9月17日，2019中國集成電路設(shè)計大會在青島市嶗山區(qū)正式召開， 中科院院士劉明在演講中指出，國內(nèi)的光刻技術(shù)與國外......
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IMEC總裁：半導(dǎo)體讓未來世界更加美好

  • 　　來自比利時的IMEC總裁LucVandenhove博士在2012年中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(CSTIC2012)上帶來精彩的視頻動畫，將會議現(xiàn)場的人們帶到了2020年，使觀眾身臨其境感受未來的互聯(lián)時代。 　　IMEC展示的視頻中的2020年人們生活將實現(xiàn)隨時隨地的互聯(lián)。要想實現(xiàn)這樣的華麗的互聯(lián)技術(shù)，就需要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為前提，需要半導(dǎo)體高新技術(shù)的支持。因此，在未來的10年里，將如何推動半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展擺在我們面前，這也正是Luc Van博士演講的所要說的——“半導(dǎo)
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誰才是IC大佬們的光刻技術(shù)最愛？

  • 　　臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術(shù)的態(tài)度也不相同，臺積電是450mm的積極推進者，而Globalfoundries及其IBM制造技術(shù)聯(lián)盟的伙伴們則對這項技術(shù)鮮有公開表態(tài)。
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英特爾專家揭示IC制程微縮所面臨的五大挑戰(zhàn)

  •         芯片尺寸在接下來的幾年將持續(xù)微縮，不過芯片制造商也面臨許多挑戰(zhàn)。在美國舊金山舉行的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，英特爾(Intel)資深院士、制程架構(gòu)與整合總監(jiān)Mark Bohr列出32奈米以下制程節(jié)點遭遇的五大障礙/挑戰(zhàn)，也提出了有潛力的解決方案。         1. 光刻技術(shù)(patterning or lithography)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  光刻技術(shù)  晶體管   嵌入式內(nèi)存   

光刻技術(shù)最新進展

  • 2004年6月A版 　　在摩爾定律的指引下，半導(dǎo)體工業(yè)每兩至三年就跨上一個新的臺階，即所謂的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(ITRS)。預(yù)計2004年進入90nm節(jié)點器件的批量生產(chǎn)，到2007年為65nm。然而這一切變化的關(guān)鍵是光刻技術(shù)，所以人們統(tǒng)稱光刻技術(shù)是半導(dǎo)體工業(yè)的“領(lǐng)頭羊”。2003年ITRS修訂的最新版本如表1所示。 　　隨著集成電路產(chǎn)品技術(shù)需求的提升，光刻技術(shù)也不斷地提高分辨率，以制作更微細(xì)的器件尺寸。全球光刻技術(shù)的進程如圖1所示。 　　傳統(tǒng)上提高光刻技術(shù)的分辨率無非是縮短曝光波長及增大鏡頭的數(shù)值
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光刻技術(shù)介紹

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