（更新：三星否認）消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過英偉達測試

10:57 更新：韓媒 Hankyung 報道稱，三星否認了這一傳聞，澄清說這“并不屬實”，并且公司正在持續(xù)進行質(zhì)量評估。7 月 4 日消息，韓媒 NewDaily 報道稱，三星電子通過了英偉達的 HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試。三星即將開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM 內(nèi)存芯片，并就供應(yīng)問題與英偉達展開談判。

▲ 三星電子 HBM3e 12 層產(chǎn)品三星電子最近收到了來自英偉達的 HBM3e 質(zhì)量測試 PRA（產(chǎn)品準備批準）通知。這是三星應(yīng)英偉達要求，派遣負責(zé) HBM 內(nèi)存開發(fā)的高管前往美國一個多月后取得的成果。據(jù)此前報道，今年 3 月，英偉達 CEO 黃仁勛表示已經(jīng)開始驗證三星的 HBM 內(nèi)存芯片。5 月有消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達測試。黃仁勛在 2024 臺北國際電腦展上，表示仍在認證三星公司的 HBM 內(nèi)存，否認三星 HBM 未通過任何英偉達測試。外媒稱，三星迫切需要向英偉達供應(yīng) HBM，通過英偉達測試意味著從下半年開始，HBM 的業(yè)績可能實現(xiàn)“飛躍”。受此消息影響，三星電子股價 7 月 4 日上漲 3.6%，達到 4 月 12 日以來的最高點；SK 海力士（英偉達 HBM 內(nèi)存的主要供應(yīng)商之一）股價下跌 4.7%，創(chuàng) 6 月 24 日以來最大跌幅。

來源：IT之家

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