鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。

　　兩家廠商預(yù)計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。

　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。

　　這款42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率最大可至1866Mbit/s，可用于組裝成16GB總?cè)萘康腄DR3內(nèi)存條產(chǎn)品。