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加速I(mǎi)C測(cè)試工具開(kāi)發(fā)進(jìn)程

作者: 時(shí)間:2010-03-10 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  在硅谷,供應(yīng)商非常活躍。每次Globalpress公司組織采訪活動(dòng)中,EDA都是重要環(huán)節(jié)。 Graphics公司設(shè)計(jì)到芯片(Design to Silicon)部門(mén)副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了芯片測(cè)試的挑戰(zhàn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/106766.htm

  隨著IC制程節(jié)點(diǎn)從向65nm和45nm延伸,需要測(cè)試的數(shù)據(jù)量會(huì)激增,相應(yīng)地會(huì)帶來(lái)測(cè)試成本的提高(圖1)。例如,從到65nm時(shí),由于增加了門(mén)數(shù),傳統(tǒng)的測(cè)試量急劇增加;同時(shí),在速(at-speed)測(cè)試也成倍增加,這是由于時(shí)序和信號(hào)完整性的敏感需求;到了45nm時(shí)代,在前兩者的基礎(chǔ)上,又新增了在新節(jié)點(diǎn)上探測(cè)新缺陷的測(cè)試。

  圖1 測(cè)試成本的驅(qū)動(dòng)力


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