Intel展示新材料 極紫外光刻走向?qū)嵱?/h1>
新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/110021.htm
Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。
在國際光學(xué)工程學(xué)會(SPIE)舉行的光刻大會上，Intel就進行了這方面的展示，使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫 外底層，以及一種相應(yīng)的漂洗劑，最終達成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率，并滿足敏感度和LWR要求。
Intel據(jù)此驕傲地宣布，經(jīng)過數(shù)十年的不懈努力，極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱?，?dāng)然了，真正商用仍 尚需時日。
藍色部分即代表光刻膠
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新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/110021.htmIntel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。
在國際光學(xué)工程學(xué)會(SPIE)舉行的光刻大會上，Intel就進行了這方面的展示，使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫 外底層，以及一種相應(yīng)的漂洗劑，最終達成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率，并滿足敏感度和LWR要求。
Intel據(jù)此驕傲地宣布，經(jīng)過數(shù)十年的不懈努力，極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱?，?dāng)然了，真正商用仍 尚需時日。
藍色部分即代表光刻膠
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