超越英特爾 臺(tái)積電調(diào)升資本支出至59億美元
看好半導(dǎo)體后市,晶圓代工廠臺(tái)積電加碼投資,在29日法說(shuō)會(huì)中,宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元,調(diào)高至59億美元,超越英特爾(Intel)的52億美元,僅次于韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics)的228.8億美元,董事長(zhǎng)張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)估值上修至40%。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/111360.htm針對(duì)市場(chǎng)憂慮晶圓廠積極擴(kuò)充產(chǎn)能,將使得2011年有產(chǎn)能過(guò)剩的疑慮,張忠謀重申,臺(tái)積電向來(lái)是依客戶(hù)的需求擴(kuò)充產(chǎn)能,而非先擴(kuò)充產(chǎn)能才找客戶(hù)。張忠謀并指出,2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望年增3成,維持先前預(yù)估不變,全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)估值自原預(yù)估的36%,上修至40%。
張忠謀表示,在59億美元的資本支出,其中58億美元用于投資晶圓廠,另外1億美元將用來(lái)投資新事業(yè)。他進(jìn)一步指出,用于投資晶圓廠的58億美元中,79%用來(lái)擴(kuò)充65奈米、40奈米及28奈米制程,13%用來(lái)投資超越摩爾定律(More-than-Moore)的新制程技術(shù),另外8%用于研發(fā)。
為加速擴(kuò)充產(chǎn)能,臺(tái)積電2010年擴(kuò)充竹科晶圓12廠(Fab12)與南科晶圓14廠(Fab14)兩座超大型晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充,目前Fab12與Fab14合計(jì)月產(chǎn)能產(chǎn)能已超過(guò)20萬(wàn)片約當(dāng)12寸晶圓,預(yù)計(jì)年底將擴(kuò)充至24萬(wàn)片。位于中科的12寸超大型晶圓廠(GIGAFAB)晶圓15廠(Fab15)也于7月中動(dòng)土,未來(lái)單月產(chǎn)能可望達(dá)到10逾萬(wàn)片。
臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅表示,臺(tái)積電第2季資本支出16.57億美元,累計(jì)上半年資本支出達(dá)31.01億美元。第2季總產(chǎn)能已擴(kuò)增至274.9萬(wàn)片8寸約當(dāng)晶圓,較第1季增加7.1%,下半年產(chǎn)能將持續(xù)擴(kuò)增,預(yù)期第3季總產(chǎn)能將較第2季增加7%,第4季產(chǎn)能將再增加3.5%。
何麗梅指出,在加速產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)畫(huà)后,2010年總產(chǎn)能將達(dá)1129.9萬(wàn)片8寸約當(dāng)晶圓規(guī)模,將較2010年增加14%,增加幅度將較原預(yù)估的13%高。其中,先進(jìn)制程產(chǎn)能將增加36%,也將較原預(yù)估的35%高。
在新事業(yè)方面,張忠謀指出,臺(tái)積電日前投資太陽(yáng)能電池廠茂迪,2010年也宣布投資美商Stion,取得銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能技術(shù),他也透露,位在中科規(guī)劃的CIGS薄膜太陽(yáng)能電池廠,預(yù)計(jì)于8月或9月動(dòng)工。另外新竹的LED廠,則預(yù)計(jì)于年底前開(kāi)始將設(shè)備進(jìn)廠。
針對(duì)鴻海投資臺(tái)灣的相關(guān)議題,張忠謀并未回應(yīng),不過(guò)他也強(qiáng)調(diào),臺(tái)灣的投資環(huán)境絕對(duì)沒(méi)有變,而且臺(tái)積電在臺(tái)中、臺(tái)南、新竹都有投資計(jì)畫(huà),另外還有LED廠與即將動(dòng)土的太陽(yáng)能廠。
評(píng)論