展訊手機(jī)芯片廠進(jìn)入40納米制程

　　中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)廠展訊預(yù)定明年1月于北京發(fā)表，采用40納米制程低耗電3G通訊基帶晶片，成為手機(jī)芯片大廠高通(Qualcomm)后，進(jìn)入40納米制程的手機(jī)芯片廠。

　　市場(chǎng)亦傳出，高通方面已與展訊就TD芯片展開(kāi)合作，法人預(yù)估，高通和展訊的合作，未來(lái)對(duì)于臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科和手機(jī)芯片生力軍晨星應(yīng)會(huì)帶來(lái)一定程度的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

　　分析師認(rèn)為，高通在布局3G的CDMA市場(chǎng)后，現(xiàn)正積極投入4G通訊技術(shù)，以LTE和中國(guó)大陸特有的TD-LTE技術(shù)為主，全力迎接明年的LTE元年;而透過(guò)和展訊的合作，可以補(bǔ)強(qiáng)在中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)的3G和TD-SCDMA領(lǐng)域，兩全齊美。分析師說(shuō)，高通和展訊合攻TD-SCDMA，對(duì)于同樣布局TD- SCDMA的聯(lián)發(fā)科和晨星而言，會(huì)處于相對(duì)不利的位置。

　　目前晨星已計(jì)劃在明年上半年推出TD-SCDMA芯片，搶進(jìn)3G市場(chǎng);但聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江曾于11月初的法說(shuō)會(huì)上表示，明年3G市場(chǎng)成長(zhǎng)重點(diǎn)將放在全球主流規(guī)格WCDMA，而非TD-SCDMA。

　　展訊在美東時(shí)間19日晚間宣布，將在明年的1月19日于北京為旗下的40納米制程低耗電3G通訊基帶處理器，舉辦科技論壇，對(duì)外說(shuō)明新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)進(jìn)度，并分享通訊IC設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)。上述科技論壇計(jì)畫(huà)由展訊、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(CSIA)、海信通信、華為與沈陽(yáng)新郵通信設(shè)備聯(lián)合舉辦。

　　今年在中國(guó)大陸2G和2.5G手機(jī)芯片市場(chǎng)成功搶占兩成以上市占率，并步步進(jìn)逼聯(lián)發(fā)科的展訊，今年下半年不斷對(duì)外發(fā)表三卡三待、四卡四待等新產(chǎn)品，積極搶進(jìn)大陸以外的新興市場(chǎng)。

　　與聯(lián)發(fā)科的競(jìng)爭(zhēng)，亦由大陸進(jìn)一步打到印度、南美等市場(chǎng)。受到持續(xù)推出新產(chǎn)品激勵(lì)，展訊ADS在17日上漲3.81%，收18.00美元，創(chuàng)歷史新高。

　　除新產(chǎn)品布局外，市場(chǎng)傳出，高通搶進(jìn)中國(guó)大陸市場(chǎng)的合作對(duì)象也選定展訊，雙方就高通著墨較少的TD晶片展開(kāi)合作，共同發(fā)展CDMA和TD雙模芯片，合作搶攻3G市場(chǎng)。

　　就12月?tīng)I(yíng)運(yùn)來(lái)看，受惠于中國(guó)大陸農(nóng)歷春節(jié)前拉貨潮，聯(lián)發(fā)科本月將迎接第四季的單月?tīng)I(yíng)收高點(diǎn)，出貨量力拼5,000萬(wàn)顆水準(zhǔn)，月?tīng)I(yíng)收規(guī)模挑戰(zhàn)80億元以上。