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Zetex全新微型雙極封裝提升電源效率

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作者: 時(shí)間:2006-03-15 來(lái)源: 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/11737.htm

模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商  Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件,它與互補(bǔ)NPN和PNP晶體管集成在一個(gè)SOT236內(nèi),可滿足電源設(shè)計(jì)中大功率MOSFET和IGBT所需的驅(qū)動(dòng)要求。

亞洲副總裁林博文先生指出,在峰值脈沖電流高達(dá)5A的情況下,這款新型雙極器件能加快柵極電容的充電和放電速度,從而提升效率。由于NPN和PNP器件的射極引腳互相分開(kāi),有助于設(shè)計(jì)人員自由選擇獨(dú)立的電阻值,更準(zhǔn)確地控制柵極充電和放電周期。

這款雙晶體管采用SOT236,占板面積只有9 mm2 ,板外高度僅為1.3mm,有助于減少電路板尺寸,提高功率密度。器件的額定工作電壓為40V,典型增益為300,適用于各種柵極驅(qū)動(dòng)器電路。



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