美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機等行動裝置應用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。

　　美光日前擺脫合作伙伴英特爾不愿再投資NANDFlash產(chǎn)業(yè)陰霾，雙方宣布共同投資30億美元，啟動新加坡12寸晶圓廠IMFS(IM Flash Technologies Singapore)，且美光為確保獲得多數(shù)產(chǎn)能，對該座廠房投資比重高于英特爾，未來可獲得較多產(chǎn)能分配。

　　值得注意的是，2011年初傳出美光與臺塑針對NANDFlash技術(shù)授權(quán)華亞科生產(chǎn)一事進行談判，但最后雙方未達共識，但對于美光是否會釋出NANDFlash代工權(quán)給華亞科，業(yè)界討論不斷。美光企業(yè)發(fā)展副總裁MichaelSadler表示，目前無法讓華亞科代工NANDFlash，主要是受限于其與英特爾之間合約，規(guī)定NANDFlash技術(shù)不能轉(zhuǎn)移到其它晶圓廠生產(chǎn)，但對于未來授權(quán)NANDFlash技術(shù)給華亞科的可能性，仍是保持開放空間和態(tài)度。

　　Sadler亦表示，美光要增加NANDFlash產(chǎn)能，另一個選項就是啟動新加坡二廠，亦即現(xiàn)有新加坡晶圓廠旁邊空地。然存儲器業(yè)者認為，啟動新加坡二廠所需資金恐相當高，英特爾不一定會再投資，若美光想快速擴大NANDFlash產(chǎn)能，讓華亞科代工是最快方式。

　　過去華亞科13萬片12寸晶圓產(chǎn)能主要是支持DRAM生產(chǎn)，但DRAM需求成長受限，華亞科已改弦易轍，生產(chǎn)MobileRAM和Server DRAM，調(diào)撥部分12寸產(chǎn)能給NAND Flash，會是美光取得更多NAND Flash產(chǎn)能最快捷徑。

　　目前美光和英特爾在美國有2個策略聯(lián)盟晶圓廠，分別位在維吉尼亞州Manassas廠和猶他州Lehi廠，雙方亦在新加坡合資晶圓廠，因此，未來美光NAND Flash技術(shù)若要技轉(zhuǎn)給其它代工廠，必須先獲得英特爾首肯。

　　另外，相較于三星電子(Samsung Electronics)和東芝在NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率都高達35%左右，美光市占約維持在10~12%。美光強調(diào)，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)中，其目標不會去追求全球第1，而是要求全球成本最低、最快速把產(chǎn)品推到市場上，如今25納米制程已是產(chǎn)業(yè)最基本競爭門檻，下一輪戰(zhàn)爭將是在20納米制程上。