全球半導(dǎo)體第一季產(chǎn)能利用率上升

　　根據(jù)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(SIA)最新調(diào)查顯示，2011年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)能平均利用率上攀93.7%，較2010年第4季的92.9%再度向上攀升，此外，就個(gè)別領(lǐng)域來(lái)看，絕大多數(shù)半導(dǎo)體元件產(chǎn)能利用率均超過(guò)90%。

　　與2010年第4季相較，產(chǎn)能利用率數(shù)據(jù)變動(dòng)較大的領(lǐng)域則是在MOS類別里，包括了0.18微米、0.15微米和0.13微米等制程，此外，在晶圓代工領(lǐng)域的產(chǎn)能利用率數(shù)據(jù)變動(dòng)也相對(duì)較高。

　　此外，2011年第1季8寸晶圓產(chǎn)能利用率達(dá)到89.6%，而12寸晶圓的產(chǎn)能利用率則高達(dá)97.0%。