英特爾14納米芯片進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測(cè)試

　　英特爾北歐地區(qū)總經(jīng)理帕特·布萊默(Pat Bliemer)日前表示，其14納米制程工藝芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)，進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。

　　英特爾計(jì)劃在明年一季度開(kāi)始生產(chǎn)下一代22納米工藝Ivy Bridge架構(gòu)處理器，新工藝將幫助英特爾保持對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD、ARM的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

　　為了完成Ivy Bridge處理器設(shè)計(jì)，英特爾創(chuàng)建了一種新架構(gòu)，它使用了名為“Tri-gate”的3D晶體管技術(shù)。這種多維電子元件通過(guò)更緊密的設(shè)計(jì)加強(qiáng)處理器的熱設(shè)計(jì)功耗指標(biāo)。英特爾還將這種設(shè)計(jì)技術(shù)利用到了更加高效的14納米制程工藝中。

　　盡管更小的設(shè)計(jì)增加了生產(chǎn)復(fù)雜度，但英特爾認(rèn)為他們正有條不紊的將這種新技術(shù)應(yīng)用到生產(chǎn)過(guò)程中。

　　“我只能說(shuō)(14納米)芯片已經(jīng)進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室階段，不能披露更多信息，”布萊默稱(chēng)，“我們的工程師確實(shí)找到了測(cè)試和生產(chǎn)14納米芯片產(chǎn)品的方法。”