瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

　　(注1)碳化硅(SiC)：這種材料在熱導(dǎo)率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場強(qiáng)等特性上優(yōu)于硅，具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。

　　(注2)反向恢復(fù)時間：當(dāng)二極管在規(guī)定的正向電流已流過后從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換至關(guān)閉狀態(tài)，由于在結(jié)中積累了少量載流子，因而將存在反向電流。反向恢復(fù)時間表示在切換至關(guān)閉狀態(tài)后恢復(fù)到規(guī)定電流值所需的時間。

　　【附件】

　　RJS6005TDPP SiC SBD的產(chǎn)品規(guī)格

　　1. RJS6005TDPP的規(guī)格

• 反向峰值電壓(VRM)：600 V
• 平均整流電流(Io)：15 A
• 正向壓降(VF)：1.5 V
• 反向恢復(fù)時間(trr)：標(biāo)準(zhǔn)15 ns(ID = 10 A，VGSS = 10 V)
• 額定通道溫度(Tch)：+150 ℃
• 封裝：TO-220，全封

　　2. 參考圖：正向電壓的溫度依賴性