瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

　　全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術(shù)，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

　　最近，為了促進環(huán)境保護，很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長?？照{(diào)、通信基站、PC服務(wù)器和太陽能陣列等使用電源轉(zhuǎn)換電路或逆變電路的產(chǎn)品，對更高效的電源轉(zhuǎn)換有著特別強勁的需求。因此，這些電源轉(zhuǎn)換電路中所用的二極管需要提供更快的轉(zhuǎn)換速度，并可以低壓工作。于是，瑞薩開發(fā)了這款全新SiC SBD來滿足上述需求。

　　RJS6005TDPP的主要特性：

　　(1) 更快的轉(zhuǎn)換速度，其損耗較之現(xiàn)有產(chǎn)品降低了40%

　　全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復(fù)時間(注2)為15納秒(標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/µs)，與現(xiàn)有瑞薩硅電子產(chǎn)品相比，其速度快了大約40%。這可以實現(xiàn)更快的轉(zhuǎn)換速度，與瑞薩硅基產(chǎn)品相比降低了大約40%的功耗。

　　此外，當溫度升高時，反向恢復(fù)時間不會降低，從而在高溫環(huán)境下工作時可實現(xiàn)始終如一的低轉(zhuǎn)換損耗。

　　(2) 低壓工作

　　這款全新SiC-SBD的額定電壓(正向降壓，VF)僅1.5伏(V)，低于現(xiàn)有的硅快速觸發(fā)二極管產(chǎn)品的額定電壓。此外，該SiC-SBD的溫度依賴性較小，可確保獲得穩(wěn)定的正向電壓——即使在高溫條件下。這意味著可使用更緊湊的散熱設(shè)計，以降低成本，并減小產(chǎn)品體積。

　　這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應(yīng)用相當于工業(yè)標準的TO-220封裝，并可實現(xiàn)引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現(xiàn)有印刷電路板上傳統(tǒng)的硅二極管。

　　瑞薩電子全新功率器件的產(chǎn)品陣容頗為強大，電流從3A至30 A不等，額定峰值電壓為600 V，這些功率器件專用于滿足空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)對高效能的需求，同時，計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產(chǎn)品系列。瑞薩努力為客戶提供結(jié)合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案，矢志成為領(lǐng)先的功率器件供應(yīng)商。瑞薩計劃增強套件解決方案和復(fù)合半導體器件，以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心，并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT、高壓超結(jié)MOSFET和光電耦合器。

　　全新RJS6005TDPP SiC SBD的規(guī)格見附件。