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高通宣布推出第三代LTE芯片組

—— 業(yè)界首批以LTE載波聚合技術支持HSPA+版本10和LTE增強型
作者: 時間:2012-02-29 來源:電子產品世界 收藏

  公司(NASDAQ:QCOM)日前宣布其下一代Gobi™MDM8225™、MDM9225™和MDM9625™將于2012年第四季度開始出樣,這三款也是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移動寬帶標準LTE增強型的。MDM9225和MDM9625芯片組也將是首批支持LTE載波聚合和數(shù)據(jù)傳輸速率高達150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片組,使網(wǎng)絡運營商可以提升其LTE服務區(qū)域的寬帶速度。這幾款芯片組采用28納米制造工藝,在性能和功耗方面均有顯著提升,并將支持多種移動寬帶技術,為智能手機、平板電腦、超便攜筆記本電腦、便攜式無線熱點設備、數(shù)據(jù)收發(fā)器和客戶前提設備提供同類最佳的移動寬帶體驗。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/129636.htm

  LTE載波聚合是一項重要技術,可以在一個頻段內及跨頻段將多個無線電信道結合在一起,從而提高用戶的數(shù)據(jù)傳輸速率,減少延遲,并為沒有20 MHz連續(xù)頻譜的運營商提供Category 4功能。MDM9225和MDM9625芯片組是目前唯一能夠支持載波聚合技術的移動寬帶芯片組,OEM廠商可以利用這些芯片組打造能夠充分利用LTE增強型網(wǎng)絡優(yōu)勢的終端。

  MDM9225和MDM9625芯片組是公司的第三代LTE芯片組。除了同時支持LTE增強型(LTE版本10)和HSPA+版本10(包括84 Mbps的雙載波HSDPA),還向后兼容其它標準,包括EV-DO增強型、TD-SCDMA和GSM。這兩款芯片組將業(yè)界唯一可整合7種不同無線電接入模式的集成到了一款單基帶芯片上,其中包括:CDMA2000(1X、DO)、GSM/EDGE、UMTS(WCDMA、TD-SCDMA)以及LTE(LTE-FDD 和 LTE-TDD)。這使得OEM廠商可以設計出能夠在全球各地日益多樣化的無線電網(wǎng)絡上部署和配置的各種移動終端。

  公司CDMA技術集團產品發(fā)展高級副總裁克里斯蒂安諾•阿蒙表示:“我們最新一代的Gobi調制解調器芯片組將使OEM廠商能夠設計可以運行在全球各地幾乎所有移動寬帶網(wǎng)絡上的產品。除了支持最新的移動寬帶技術外,相比高通公司之前的7模28納米LTE芯片組(MDM9x15),這些芯片組還降低了功耗,并減少了整體電路板面積,使OEM廠商可以設計更小、更輕薄且電池續(xù)航時間更長的終端。”

  此外,通過一個功能豐富、基于Linux應用程序開發(fā)環(huán)境和可選移動接入點軟件棧,第三代Gobi調制解調器芯片組提供了一個集成的應用處理器和多個硬件加速器。客戶可以利用應用程序開發(fā)環(huán)境創(chuàng)建增值應用程序,使其基于MDM8225/9x25芯片組的終端能做到差異化。如果搭配使用高通創(chuàng)銳訊AR6003或AR6004芯片組,移動接入點軟件棧使客戶能夠設計高性能、低功耗的便攜式和固定式802.11n路由器。這些路由器將為具備Wi-Fi功能的終端提供高達150 Mbps的數(shù)據(jù)連接。

  MDM8225芯片組僅支持UMTS終端,MDM9225芯片組支持LTE和UMTS終端,而MDM9625芯片組則支持LTE、UMTS和CDMA2000終端。三款芯片組預計將于2012年第四季度開始出樣。



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