IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測(cè)試芯片下半年推出

　　歐洲微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC(比利時(shí)魯汶)日前宣布，已發(fā)布了一個(gè)早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK)，這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點(diǎn)邏輯工藝的開發(fā)工具包，IMEC表示。

　　該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的技術(shù)，包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型，寄生參數(shù)提取，設(shè)計(jì)規(guī)則，參數(shù)化單元(P-單元)，和基本的邏輯單元，IMEC指出。

　　14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項(xiàng)目的一部分而開發(fā)，曾有報(bào)道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國(guó)高通公司都是該項(xiàng)目的參與者。但在這份新聞稿中，宣布14納米PDK時(shí)并沒有討論到哪些公司參與了Insite項(xiàng)目。

　　IMEC的研究伙伴目前可這個(gè)開發(fā)工具包的使用權(quán)，將來還可以進(jìn)行后續(xù)的更新。IMEC和其合作伙伴正在使用該工具包開發(fā)14納米測(cè)試芯片，預(yù)計(jì)將在2012年下半年發(fā)布，IMEC表示。 IMEC擁有一座300毫米研究晶圓廠，其中包括EUV步進(jìn)光刻機(jī)。這是世界上極少有的可以嘗試生產(chǎn)14納米測(cè)試芯片的設(shè)施。

　　這套PDK的主要用途之一是幫助公司開發(fā)FinFET器件工藝。與傳統(tǒng)的平面晶體管技術(shù)相比，這些鰭狀的晶體管位于晶圓表面，能以很低的電源電壓驅(qū)動(dòng)較大面積電路單元，且性能更高。該P(yáng)DK的一些革命性，還在于有望引進(jìn)高遷移率溝道材料的使用。這些材料包括鍺、化合物半導(dǎo)體材料和石墨。這套PDK還支持浸沒式光刻和EUV光刻技術(shù)，為從193納米浸沒式逐步過渡到EUV光刻技術(shù)開辟了道路。

　　今年下半年將推出的測(cè)試芯片將可進(jìn)行性能和功耗的物理測(cè)量，以及設(shè)備、互連、工藝和光刻假定的初次測(cè)試。