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IMEC發(fā)布14nm工藝開發(fā)套件 測試芯片下半年推出

—— 這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點邏輯工藝的開發(fā)工具包
作者: 時間:2012-03-12 來源:中電網(wǎng) 收藏

  歐洲微電子研究機構(gòu)(比利時魯汶)日前宣布,已發(fā)布了一個早期版本的邏輯工藝開發(fā)套件(PDK),這是業(yè)界第一款用以解決14納米節(jié)點邏輯工藝的開發(fā)工具包,表示。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/130077.htm

  該套件支持多種有可能在14納米節(jié)點應(yīng)用的技術(shù),包括FinFET器件和極端紫外線光刻技術(shù)。它包含了器件緊湊模型,寄生參數(shù)提取,設(shè)計規(guī)則,參數(shù)化單元(P-單元),和基本的邏輯單元,指出。

  14納米PDK作為IMEC Insite合作研究項目的一部分而開發(fā),曾有報道稱Altera公司、NVIDIA公司與美國高通公司都是該項目的參與者。但在這份新聞稿中,宣布14納米PDK時并沒有討論到哪些公司參與了Insite項目。

  IMEC的研究伙伴目前可這個開發(fā)工具包的使用權(quán),將來還可以進行后續(xù)的更新。IMEC和其合作伙伴正在使用該工具包開發(fā)14納米,預(yù)計將在2012年下半年發(fā)布,IMEC表示。 IMEC擁有一座300毫米研究晶圓廠,其中包括EUV步進光刻機。這是世界上極少有的可以嘗試生產(chǎn)14納米的設(shè)施。

  這套PDK的主要用途之一是幫助公司開發(fā)FinFET器件工藝。與傳統(tǒng)的平面晶體管技術(shù)相比,這些鰭狀的晶體管位于晶圓表面,能以很低的電源電壓驅(qū)動較大面積電路單元,且性能更高。該PDK的一些革命性,還在于有望引進高遷移率溝道材料的使用。這些材料包括鍺、化合物半導(dǎo)體材料和石墨。這套PDK還支持浸沒式光刻和EUV光刻技術(shù),為從193納米浸沒式逐步過渡到EUV光刻技術(shù)開辟了道路。

  今年下半年將推出的將可進行性能和功耗的物理測量,以及設(shè)備、互連、工藝和光刻假定的初次測試。

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