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飛兆開發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

—— 60A多芯片模塊系列可讓設(shè)計人員滿足嚴(yán)苛的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)
作者: 時間:2012-04-17 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  新能源標(biāo)準(zhǔn)以及針對刀片式服務(wù)器、高性能筆記本電腦、游戲主機(jī)和負(fù)載點(diǎn)(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范,正在推動業(yè)界對更高效率、更大電流、更高開關(guān)頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢,半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出 Gen III DrMOS多模塊(MCM)系列。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/131434.htm

  系列經(jīng)設(shè)計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數(shù)目,與普通分立器件解決方案相比,該系列能夠節(jié)省多達(dá)50%的線路板空間,并提高效率,以期滿足新能源標(biāo)準(zhǔn)要求。使用半導(dǎo)體的高性能PowerTrench® MOSFET技術(shù),系列能夠顯著減少開關(guān)振鈴(switch ringing),省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。

  Gen III DrMOS MCM系列能夠支持?jǐn)?shù)字和模擬PWM控制器的3.3V和5V三態(tài)PWM輸入電壓,30V器件選項使得DrMOS能夠適應(yīng)筆記本電腦或UltraBookTM 電源系統(tǒng)的要求。Gen III DrMOS系列在1MHz以上開關(guān)頻率下提供更高的效率,更高的最大負(fù)載電流和功率密度,該系列器件采用6x6mm2 PQFN封裝,能夠達(dá)到效率標(biāo)準(zhǔn)要求并提供每相高達(dá)60A的電流。  

 

  特性和優(yōu)勢

  • 峰值效率達(dá)93%; 30A效率達(dá)91%;500KHz頻率,12VIN,1VOUT
  • 峰值效率達(dá)90%; 30A效率達(dá)88%;1MHz頻率,12VIN,1VOUT
  • 大電流處理能力:結(jié)溫100°C時60A
  • 能夠達(dá)到1.5MHz的開關(guān)頻率
  • 省去典型設(shè)計中的散熱器

  半導(dǎo)體Genernation III DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù),以應(yīng)對現(xiàn)今設(shè)計所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大節(jié)能。



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