分析解讀世界半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展大趨勢(shì)

　　IBM半導(dǎo)體研發(fā)中心技術(shù)開發(fā)副總裁PercyGilbert2月8日在“世界半導(dǎo)體東京峰會(huì)2012”發(fā)表了演講，他說，半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步為社會(huì)帶來(lái)了互聯(lián)網(wǎng)的普及等變革，今后還要繼續(xù)推進(jìn)該技術(shù)的發(fā)展。不過，除了傳統(tǒng)技術(shù)之外，器件、制造及材料的技術(shù)革新變得不可或缺。同時(shí)，業(yè)務(wù)模式也要革新，IBM作為研發(fā)型半導(dǎo)體公司稱“合作”尤其重要，IBM的“共生系統(tǒng)”戰(zhàn)略不僅要聯(lián)手半導(dǎo)體廠商，還要與設(shè)備廠商、裝置及材料廠商合作，由此來(lái)分擔(dān)研發(fā)投資。

　　臺(tái)積電代表也在會(huì)上表示，邏輯電路尖端工藝的發(fā)展將繼續(xù)受到市場(chǎng)歡迎。公司現(xiàn)行28nm工藝，計(jì)劃2012年下半年將使20nm工藝量產(chǎn)化，2014年則將推進(jìn)到14nm工藝量產(chǎn)化。同時(shí)，對(duì)“更摩爾”(MoreMoore)微細(xì)化以外追求差異化的“超摩爾”(MorethanMoore)的量產(chǎn)器件，也將推進(jìn)微細(xì)化以降低成本。

　　SIA(美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì))于去年底在韓國(guó)首次公布了《2011ITRS》(2011年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù)到2026年的發(fā)展作了預(yù)測(cè)。SIA總裁BrianToohey說，路線圖的宗旨之一是遵循摩爾定律的發(fā)展速度，不斷縮小工藝尺寸、提高性能以滿足消費(fèi)者的需求。ITRS特別指出，DRAM將加速發(fā)展以因應(yīng)高端服務(wù)器、臺(tái)式游戲機(jī)復(fù)雜圖形的進(jìn)步。廣泛用于數(shù)碼相機(jī)、平板電腦和手機(jī)的Flash閃存近幾年內(nèi)也將快速發(fā)展，2016年將出現(xiàn)3D架構(gòu)產(chǎn)品。此外，也詳細(xì)介紹了連接器、開關(guān)、有關(guān)器件、材料以及射頻和模擬混合信號(hào)技術(shù)的未來(lái)革新。