臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

　　繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來挹注ASML對18寸晶圓和極紫外光(EUV)微影等先進(jìn)制程技術(shù)的研發(fā)。而外資對此也紛紛出具最新報(bào)告，指出這很可能意謂臺(tái)積電未來將參與18寸晶圓的規(guī)格制定;而臺(tái)積電預(yù)估將于2016年的10奈米制程，開始使用EUV技術(shù)。

　　野村(NOMURA)直接以「半導(dǎo)體大頭們的游戲」(Top semicondutor companies’ game)來形容臺(tái)積電投資ASML的舉動(dòng)，指出英特爾、IBM、三星、臺(tái)積電、格羅方德(Global Foundries)等半導(dǎo)體大廠已經(jīng)在18寸晶圓形成一個(gè)陣營。而此次臺(tái)積電宣告將投資ASML的18寸(450 mm)晶圓，顯示其未來很可能參與18寸晶圓國際規(guī)格的制定。而雖然未來5年IP授權(quán)的利益還難以估計(jì)，但隨著半導(dǎo)體大廠紛紛加碼投資，透過贊助、參股的方式來建立技術(shù)障礙，將來這個(gè)圈子只會(huì)越來越封閉。

　　而美林(Merrill Lynch)則進(jìn)一步分析，即使半導(dǎo)體大廠都明白EUV技術(shù)是下一世代先進(jìn)制程所必須，不過由于需負(fù)擔(dān)龐大的財(cái)務(wù)壓力和風(fēng)險(xiǎn)，對進(jìn)軍18寸晶圓態(tài)度都略顯遲疑。而臺(tái)積電預(yù)估直至16奈米制程都還會(huì)采用雙層或三層的曝光(而非EUV技術(shù)的多重曝光)，而若照其20奈米于2014年開始放量、16奈米的FinFET制程接棒于2015年漸放量的時(shí)程來看，估計(jì)10奈米將要到2016年才會(huì)有明顯進(jìn)展，而臺(tái)積電也將于此時(shí)才會(huì)開始使用EUV技術(shù)，才較合乎公司評估的經(jīng)濟(jì)效益。

　　而關(guān)于臺(tái)積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺(tái)積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺(tái)積電今年預(yù)估會(huì)再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。