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臺(tái)積電推20nm及CoWoS參考流程

作者: 時(shí)間:2012-10-10 來(lái)源:中文業(yè)界資訊站 收藏

  9日宣布,已領(lǐng)先業(yè)界成功推出支援制程與(ChiponWaferonSubstrate)技術(shù)的設(shè)計(jì)參考流程,展現(xiàn)該公司在開放創(chuàng)新平臺(tái)(OpenInnovationPlatform,OIP)架構(gòu)中,支援技術(shù)的設(shè)計(jì)環(huán)境已準(zhǔn)備就緒。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/137503.htm

  強(qiáng)調(diào),參考流程,是采用現(xiàn)行經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)流程協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)雙重曝影技術(shù)(DoublePatterningTechnology,DPT),藉由雙重曝影技術(shù)所需知識(shí)的布局與配線(PlaceandRoute)、時(shí)序(Timing)、實(shí)體驗(yàn)證(PhysicalVerification)及可制造性設(shè)計(jì)(DesignforManufacturing,DFM),電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)領(lǐng)導(dǎo)廠商通過(guò)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)工具能夠支援的20nm制程。

  此外,臺(tái)積電指出,通過(guò)矽晶片驗(yàn)證的參考流程,則能夠整合多晶片以支援高頻寬與低功耗應(yīng)用,加速三維積體電路(3DIC)設(shè)計(jì)產(chǎn)品的上市時(shí)間,晶片設(shè)計(jì)業(yè)者亦受惠于能夠使用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化廠商現(xiàn)有的成熟設(shè)計(jì)工具進(jìn)行設(shè)計(jì)。

  臺(tái)積電研發(fā)副總侯永清表示,以上參考流程能夠完整的,將臺(tái)積電先進(jìn)的20奈米與CoWoS技術(shù)提供給晶片設(shè)計(jì)業(yè)者,以協(xié)助其盡早開始設(shè)計(jì)開發(fā)產(chǎn)品。而對(duì)于臺(tái)積電及其開放創(chuàng)新平臺(tái)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境伙伴而言,首要目標(biāo)即在于能夠及早、并完整地提供先進(jìn)的矽晶片與生產(chǎn)技術(shù)給客戶。



關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 20nm CoWoS

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