IR推出封裝更小的DC-DC降壓式DirectFET轉(zhuǎn)換器(圖)

　　IR中國銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“全新的DirectFET芯片組是設(shè)計(jì)人員所需應(yīng)用于中功率水平之細(xì)小，快捷開關(guān)，及15至18安培功率轉(zhuǎn)換器的最佳選擇。它們不僅能在5至8安培應(yīng)用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆SO-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積?！?

　　該芯片組的每個(gè)器件都是為了使同步DC－DC降壓式轉(zhuǎn)換器電路實(shí)現(xiàn)最佳性能而設(shè)計(jì)的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低開關(guān)損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能減少傳導(dǎo)損耗及反向恢復(fù)電荷。

　　IRF6631控制FET的柵極電荷為12nC，電阻柵極電荷（99.6 mohmsnC）優(yōu)值系數(shù)比先前的產(chǎn)品減少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V時(shí)可提供3.0mohms的典型導(dǎo)通電阻，在保持同一柵極電荷時(shí)，比現(xiàn)有的器件減少了12%。

　　IR獲得專利的DirectFET MOSFET封裝體現(xiàn)了以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝沒有具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬罐構(gòu)造可以實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，使先進(jìn)微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均符合有害物質(zhì)限制（RoHS）規(guī)定。

　　IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET現(xiàn)已供貨，產(chǎn)品基本規(guī)格如下：