太陽能電池片燒結(jié)工藝
燒結(jié)就是把印刷到硅片上的電極在高溫下燒結(jié)成電池片,最終使電極和硅片本身形成歐姆接觸,從而提高電池片的開路電壓和填充因子2個(gè)關(guān)鍵因素參數(shù),使電極的接觸具有電阻特性,達(dá)到生產(chǎn)高轉(zhuǎn)效率電池片的目的.燒結(jié)過程中有利于PECVD工藝所引入-H向體內(nèi)擴(kuò)散,可以起到良好的體鈍化作用。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/177443.htm燒結(jié)方式:高溫快速燒結(jié)
加熱方式:紅外線加熱
燒結(jié)過程
1、燒結(jié)是一個(gè)擴(kuò)散、流動和物理化學(xué)反應(yīng)綜合作用的過程。在印刷狀況穩(wěn)定的前提下,溫區(qū)溫度、氣體流量、帶速是燒結(jié)的三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。2、由于要形成合金必須達(dá)到一定的溫度,Ag、Al與Si形成合金的穩(wěn)定又不同,所以必須設(shè)定不同的溫度來分別實(shí)現(xiàn)合金化。
3、將印刷好的上,下電極和背場的硅片經(jīng)過網(wǎng)印刷機(jī)的傳送帶傳到燒結(jié)爐中,經(jīng)過烘干排焦、燒結(jié)和冷卻烘干排焦、烘干排焦燒結(jié)和冷卻過程來完成燒結(jié)工藝最終達(dá)到上下電極和電池片的歐姆接觸。
①烘干排焦一
在網(wǎng)帶的上、下都裝有加熱帶,由溫控儀控制其溫度。目的是將印刷有漿料硅片烘干,并使?jié){料內(nèi)絕大部分焦油揮發(fā)出來。如果溫度設(shè)置不合理,不能使大部分焦油從漿料中揮發(fā)出來,剩下的焦油在進(jìn)入下一區(qū)域時(shí)會對燒結(jié)的效果影響很嚴(yán)重,對轉(zhuǎn)換率有高達(dá)0.2%的影響。為了保證設(shè)備安全,在每個(gè)區(qū)域都設(shè)有2個(gè)熱電偶,一個(gè)用于溫度控制,一個(gè)用于過溫保護(hù)。
①烘干排焦二
為了減少腔室內(nèi)熱量的損失,在設(shè)備強(qiáng)勢內(nèi)部的四周安裝上隔熱板,并在腔室外的兩邊裝上了鋁的隔熱反射板,讓整個(gè)腔室始終保持一個(gè)穩(wěn)定的溫度,有利于工藝的穩(wěn)步進(jìn)行。對流器:對流器:為了能讓從漿料中揮發(fā)的焦油全部從抽風(fēng)管道中抽走,設(shè)計(jì)了一個(gè)對流加熱器。從烘干區(qū)上部的對流加熱器中吹出溫度受控的氣體,吹到腔室中,在從烘干區(qū)的兩頭將氣體抽出,保證從硅片揮發(fā)出來的焦油被對流加熱器吹出的熱氣帶出腔室內(nèi),而不會導(dǎo)致硅片揮發(fā)出來的熱焦油在機(jī)器出口處冷凝而回流到設(shè)備里。對流盒子內(nèi)置在加熱盒子里,經(jīng)過過濾的大氣被熱空氣風(fēng)扇吸入到一個(gè)溫度可控的加熱器中,最后進(jìn)入到腔室內(nèi)。但為保證安全操作,如果吸入的空氣總量在增加,相應(yīng)離開的總量必須是合適的。
②快速加熱燒結(jié)
根據(jù)工藝要求,需要此腔室的燈管能提供很高(高到1000℃)的溫度,并且能在高溫下工作。一般用石英玻璃管加熱器。此種設(shè)備用氣流把快速加熱箱分成4獨(dú)立的加熱系統(tǒng),以保證每個(gè)腔室溫度的獨(dú)立性,可形成一個(gè)一個(gè)的溫度階梯,從而使最后一個(gè)溫區(qū)的溫度在很短時(shí)間達(dá)到一個(gè)很高的溫度。這樣設(shè)計(jì)還可以是每個(gè)隔離區(qū)域橫向位置溫度的不均勻性在一個(gè)很小的范圍內(nèi)。在此腔室內(nèi)每個(gè)抽風(fēng)口都特別設(shè)計(jì)了一個(gè)帶加熱裝置的文氏閥,能保證腔室內(nèi)產(chǎn)生的廢氣流很快離開腔室,避免在燒文氏閥結(jié)溫區(qū)廢氣對硅片的污染,還能讓產(chǎn)生的廢氣流不在管道口處冷凝。對于溫度的測試,2個(gè)熱偶被安裝在加熱區(qū)域。一個(gè)用于溫度控制,一個(gè)用于超溫報(bào)警。最后一個(gè)溫區(qū)中安裝了2個(gè)熱偶,于皮帶正上方20mm處,他們反映了形成歐姆接觸的共晶溫度的真實(shí)值,他們的值可以在加熱菜單看到,可以直接了解內(nèi)部的實(shí)際溫度。為了能讓溫度急劇下降,在高溫區(qū)出口處的側(cè)壁、上下部分都裝有水冷系統(tǒng)。為了保證大部分熱量都輻射到腔室內(nèi),在全部的加熱盒子周圍都覆蓋上保溫層,在外層還覆蓋有雙層的鋁反射板,有效延長了燈管的使用壽命。
③冷卻
冷卻盒子是一個(gè)可循環(huán)的盒子,為了冷卻電池片和皮帶,運(yùn)送冷卻水的管道安裝在皮帶的上部和下部。冷卻風(fēng)扇分別安裝在循環(huán)水管道的上方和下方。風(fēng)速可以調(diào)整,上部的風(fēng)扇將周圍的空氣通過冷卻管道送到硅片和皮帶上,下面的風(fēng)扇吸走通過皮帶周圍和硅片底部的空氣。
燒結(jié)要達(dá)到的效果
1、正面Ag穿過SiNH擴(kuò)散進(jìn)硅但不可到達(dá)p-n;
2、背面Ag、Al擴(kuò)散進(jìn)硅。
這樣,Ag、Ag/Al、Al將與硅形成合金,建立了良好的電極歐姆接觸,起到良好的收集電子的效果。
燒結(jié)設(shè)備概述
燒結(jié)傳送帶系統(tǒng)
燒結(jié)爐結(jié)構(gòu)
燒結(jié)各溫區(qū)作用
烘干區(qū):使有機(jī)溶劑脫離漿料燒結(jié)區(qū)
燒結(jié)區(qū):使電極、背場可形成良好的歐姆接觸,減小串阻
燒結(jié)溫度曲線
燒結(jié)需要注意的問題
1、在設(shè)定溫度的同時(shí)也要考慮到Al的沸點(diǎn)較低,當(dāng)超過其沸點(diǎn)時(shí),將有Al進(jìn)入工藝環(huán)境。這些會擴(kuò)散入電池正面的p-n處,對其發(fā)生破壞作用。
2、燒結(jié)時(shí)會有一定量的H從硅片中逸出,必然減弱H對硅片的鈍化作用。所以要有激冷的步驟以避免過多H的逸出。
3、高溫前,一定要保證漿料中的有機(jī)物已經(jīng)經(jīng)過烘干并揮發(fā)干凈。
4、氣流過小時(shí)會導(dǎo)致排風(fēng)不暢,使工藝環(huán)境中存在大量有害雜質(zhì)。各個(gè)溫區(qū)的氣流要保持平衡。
5、過快的帶速和過大的氣流會減弱高溫的作用。
燒結(jié)對電池片的影響
1、相對于鋁漿燒結(jié),銀漿的燒結(jié)要重要很多,對電池片電性能影響主要表現(xiàn)在串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻,即FF的變化。
2、鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā),并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會導(dǎo)致起包,嚴(yán)重的會起鋁珠。
3、背面場經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金,鋁在硅中是作為P型摻雜,它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合,從而提高開路電壓和短路電流,改善對紅外線的響應(yīng)。
燒結(jié)質(zhì)量要求
1、最優(yōu)的電性能參數(shù)
2、燒結(jié)后的氮化硅表面顏色應(yīng)該均勻,無明顯的色差.
3、電極無斷線
4、背場無鋁珠
5、電池最大彎曲度不超過4mm
6、燒結(jié)溫度的控制
溫度過低導(dǎo)致燒結(jié)不足即串聯(lián)電阻過大;
溫度過高導(dǎo)致燒穿即并聯(lián)電阻過小
燒結(jié)常見問題
1、弓片
問題分析:較差的鋁漿和流程導(dǎo)致產(chǎn)生粗糙表面
問題解決:良好的鋁漿和追求更好的更好的工藝流程條件。
2、鋁泡
問題分析:沒有完全的燒結(jié)有時(shí)導(dǎo)致有鋁泡。
問題解決:試圖增加燒結(jié)區(qū)溫度,如果溫度的上升并不能解決問題可以獨(dú)立的進(jìn)行頂部和底部的溫度設(shè)置。
3、斷柵
問題分析:在后面兩個(gè)溫區(qū)溫度過高。
問題解決:降低溫度或者提高帶速。
4、電極缺失
問題分析:主要是由于印刷厚度,流程,加熱不均勻。
問題解決:根據(jù)調(diào)整燒結(jié)溫度或印刷參數(shù)。
燒結(jié)原理
印刷了漿料的硅片經(jīng)過烘干排焦過程后使?jié){料中的大部分有機(jī)溶劑揮發(fā),膜層收縮為固狀物緊密粘附在硅片上,這時(shí)可視為金屬電極材料和硅片接觸在一起。所謂的燒結(jié)過程是要使電極和硅片本身形成歐姆接觸,其原理為當(dāng)電極里金屬材料和半導(dǎo)體單晶硅加熱到共晶溫度時(shí),單晶硅原子以一定比例融入到熔融的合金電極材料中.單晶硅原子融入到電極金屬中的整個(gè)過程一般只需要幾秒鐘的時(shí)間。融入單晶硅原子數(shù)目取決于合金溫度和電極材料的體積,燒結(jié)合金溫度越高,電極金屬材料體積越大,則融入的硅原子數(shù)目就越多,這時(shí)的合金狀態(tài)被稱為晶體電極金屬的合金系統(tǒng).如果此時(shí)的溫度降低,系統(tǒng)開始冷卻形成再結(jié)晶層,這時(shí)原先溶入到電極金屬材料中的硅原子重新以固態(tài)形式結(jié)晶出來,也就是在金屬和晶體接觸界面上生長出一層外延層。如果外延層內(nèi)含有足夠的量的與原先晶體材料導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)成分,就獲得了用合金法工藝形成的歐姆接觸;如果在結(jié)晶層含有足夠量的與原先晶體材料導(dǎo)電類型異型的雜質(zhì)成分就獲得了用合金工藝形成的P-N結(jié)。
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