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如何實現高功率密度的工業(yè)電源

作者: 時間:2009-06-16 來源:網絡 收藏

  圖3中,綠色曲線的較厚區(qū)域代表電流紋波,PFC IC在峰值輸入電壓下消耗電流較多,過零時沒有電流。粉色曲線代表整流器輸入電壓,藍色曲線為輸出電壓。

CCM PFC的行為
圖3 CCM PFC的行為
  LLC拓撲

  提高效率的方法之一是采用零電壓開關拓撲。在這種拓撲中,電路中的開關在電壓極低時導通。對于鉗位感應開關MOSFET,導通損耗PON LOSS可由下式粗略求得:

公式

  IL為流經MOSFET的負載電流,VDS(SW)為MOSFET導通前的漏源電壓,tON為導通時間,而fSW 則為開關頻率。

  在硬開關拓撲中,VDS(SW)是總線電壓,對帶有PFC前端級的應用來說一般約為400V。對于零電壓開關,該電壓被降至MOSFET二極管的正向電壓降,在1V左右,從而極大地減小了導通開關損耗。

  圖4所示為LLC諧振的模塊示意圖。其核心組件是諧振網絡,在輸入端電壓波形和流入輸入端的電流之間產生相位滯后,加載在輸入端的電壓波形是方波,利用半橋或全橋電路很容易就可以從PFC輸出電壓中產生。

LLC諧振轉換器模塊示意圖和零電壓開關波形

圖4 LLC諧振模塊示意圖和零電壓開關波形

  如果忽略橋式電路中死區(qū)時間效應以及更高階諧波的出現,那么流入諧振網絡的電流可近似表示為正弦波。由于流入諧振電路的電流滯后于電壓基波,當MOSFET處于導通狀態(tài)時,電流從兩個方向流入,如圖4所示。MOSFET在電流流經體二極管時導通,導致“零”電壓開關。這種方法帶來的一個額外好處是導通時產生的EMI較低,這是因為高dv/dt和di/dt轉換時間要短得多,而且通常沒有標準硬開關應用中不可避免的反向恢復效應。

  由于諧振電路的輸出是周期性的,因此需要對之進行整流。這可以采用如圖4所示的全波整流器或一個帶中心抽頭(centre-tap)的整流器來完成。

  最后,AC-DC中的諧振網絡基本上都會采用一個變壓器。該變壓器執(zhí)行兩項任務:其一是提供初級端和次級端之間必需的安全隔離;其二是通過它的匝數比控制電源的總體電壓轉換比率。

  為了避免Q1和Q2同時導通的風險,需要一定的死區(qū)時間。以Q1的關斷波形為例。流經開關的電流很大,接近峰值電流。關斷期間的電壓擺幅為滿總線電壓,因此關斷步驟是無損耗的。

  要確保Q2的零電壓開關,Q1的漏源電容完全充電十分重要,這意味著充電時間不應該超過死區(qū)時間。若總線電壓為VBUS,開關時電流為ISW,有效漏源電容為CDSeff,則電容的充電時間tSW可由下式計算出:

公式

  VBUS由設計條件事先確定。如果CDSeff為零,Q2就會如預期地零電壓開關。如果CDSeff非常大,Q2為硬開關工作。輕載下ISW很小,當負載足夠小時,最終也會發(fā)生Q2硬開關。

  有時可為每個MOSFET并聯一個電容。如果其容量選擇適當,就可以降低關斷損耗,同時又不影響較輕負載下的零電壓開關性能。

  LLC諧振是讓諧振轉換器與一個電感串聯。這樣一來,諧振電路中就有兩個電感和一個電容,故名為L-L-C。圖5顯示了一個實例電路的增益特性。

LLC諧振轉換器增益曲線實例

圖5 LLC諧振轉換器增益曲線實例



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