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利用DS2726在充電器反接時保護(hù)Li+電池

作者: 時間:2009-05-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

概述

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181417.htm

  反接會損壞 +器。有些器件引腳對負(fù)電壓非常敏感,導(dǎo)致芯片工作不正常。的高邊p溝道FET將關(guān)斷,但是的一些引腳無法承受負(fù)電壓。本文討論了兩種方案:一種是增加肖特基二極管以鉗位相應(yīng)引腳的電壓,另一方案是提高這些引腳的阻抗以限制電流/功耗。這些簡單的設(shè)計方法使DS2726能夠在反接的情況下不被損壞。

設(shè)計修改

  參考圖1所示原理圖。

PKP引腳

  PKP引腳容易暴露在充電反接電壓下,典型應(yīng)用電路中,這個引腳已經(jīng)有一個肖特基二極管,能夠防止感應(yīng)沖擊(產(chǎn)生過流),使該引腳拉至地電位以下。唯一需要修改的是提高PKP阻抗,從而限制流過肖特基二極管的電流。

  10節(jié)使用42V
  60V肖特基二極管具有Vf = 0.45。
  RPKP電壓為:-42V - (-0.45V) = -41.55V。

  假設(shè)使用250mW電阻:
    250mW = (-41.55V)²/RPKP
    RPKP = 6.905kΩ

變阻器保護(hù)CC FET

  下一個暴露于負(fù)壓的引腳是CC,正常工作條件下,CC驅(qū)動充電控制器FET的柵極,電壓擺幅達(dá)到PKP引腳電壓以關(guān)斷場效應(yīng)管。CC引腳拉至PKP電壓以下大約10V時,F(xiàn)ET導(dǎo)通。由于PKP將被鉗位在-0.45V,CC無法將FET打開。然而,充電控制FET只能承受±20V的柵-源電壓。如果在充電控制器FET的柵極和源極之間增加變阻器V2,則可保護(hù)CC FET免于損壞。如果沒有V2,柵-源電壓將會達(dá)到-42V左右,這將超出FET的額定值。

  變阻器在16V打開,鉗制柵-源電壓。
  CC FET電壓為:-42V + 16V = -26V。
  CC電阻兩端的壓降為:-26V - (-0.45V) = -25.55V。
  假定使用250mW電阻:
    250mW = (-25.55V)²/RCC
    RCC = 1.857kΩ

  更大的CC和PKP電阻會導(dǎo)致充電控制器FET的通/斷時間增大,從而使FET打開時在線性區(qū)域停留較長時間。實(shí)際應(yīng)用中這個問題并不嚴(yán)重,因?yàn)殡娏魇艹潆娖飨拗啤?/p>

鉗位SNS引腳

  盡管CC FET關(guān)斷,負(fù)壓作用在PK+是其體二極管將會導(dǎo)通。使SNS出現(xiàn)負(fù)壓,SNS是最后一個需要肖特基二極管鉗位的引腳。

  保護(hù)FET的漏極電壓是:-42V + 0.6V = -41.4V。
  SNS引腳電壓將鉗位在-0.45V。
  SNS電阻兩端的壓降是-41.4V - (-0.45V) = -39.95V。

  假設(shè)使用250mW電阻:
    250mW = (-39.95V)²/RCC
    RCC = 6.384kΩ

  比較器SNS引腳將吸收大約1µA電流:
    1µA × 6.384kΩ = 6.384mV

  這將在過電流門限引入大約6.4mV的誤差。如果使用額定功率更大的電阻,可以減小電阻值,從而降低這個誤差。

  注意:SNS端的RC濾波器時間常數(shù)會隨著電阻的提高而改變。因此,電容值也要相應(yīng)改變,以維持適當(dāng)?shù)臅r間常數(shù)。SNS的時間常數(shù)應(yīng)該與RDOC和RSC時間常數(shù)相一致。如果這些引腳的時間常數(shù)不一致,會在過流門限引入額外誤差。

圖1. 對DS2726典型應(yīng)用電路進(jìn)行修改,使其在充電器反接時免于損壞。

結(jié)論

  DS2726 +保護(hù)器經(jīng)過電路修改后,能夠在充電器反接時保護(hù)電池組。設(shè)計中雖然做出了一些折中考慮,但不會對保護(hù)器的整體工作性能造成影響。本應(yīng)用筆記的計算假設(shè)使用額定功率為250mW的電阻。如果選擇額定功率更大的電阻,可以減小電阻值。較小的阻值有助于降低對過流門限產(chǎn)生的誤差電壓,也可以減小CC通/斷時間。還須注意的是,確保不要超過肖特基二極管的額定電流。

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