現(xiàn)代功率模塊及器件應(yīng)用技術(shù)(7)

由風(fēng)扇的特性和散熱器的壓差曲線△p=f（Vair/t，L）或△p=f（Vair，L）可以得到空氣的流量，如圖54所示。它們的交點決定了散熱器的熱阻。

除了空氣的流量以外，Rthha還取決于散熱器上熱源(功率模塊)的分布及其位置。
如果需要對強(qiáng)制風(fēng)冷的散熱器剖面進(jìn)行優(yōu)化，則可以將其熱傳導(dǎo)與熱對流的函數(shù)對翼片的高度進(jìn) 積分。經(jīng)簡化后可以得到式(42)

α為對流系數(shù)；
U為翼片的周長；
λ為散熱器的熱傳導(dǎo)系數(shù)：
A為翼片的截面；
h為翼片的高度。
常常有數(shù)個散熱器共用一個風(fēng)扇的情形。在此情形下，散熱器既可以并聯(lián)(散熱器左右相鄰)，又可以串聯(lián)(散熱器在空氣流動方向上前后相接)。
尤其是在熱串聯(lián)的情形下，例如，用標(biāo)準(zhǔn)GB電路(半橋模塊)的SKiiPPACK構(gòu)成三相逆變器時，需要在傳熱設(shè)計中特別注意冷卻空氣會被前置的SKiiPPACK所加熱。
作為經(jīng)驗值，在空氣流量為300m3／h時，每kW功耗所導(dǎo)致的進(jìn)出口空氣溫差可達(dá)10℃左右。
8.5 水冷
對于功率模塊進(jìn)行水冷既可以用于特大功率的變流器(MW級)，又可以用于較小的功率，條件是系統(tǒng)本身已經(jīng)提供了循環(huán)水的裝置(例如，汽車驅(qū)動、電解裝置、感應(yīng)加熱等)。
如果冷卻介質(zhì)的熱量被直接釋放到環(huán)境大氣中，則冷卻介質(zhì)的進(jìn)口溫度多為50℃~70℃。在具有主動制冷的工業(yè)裝置中也可以是15℃~25℃。
和空冷相比，散熱器的表面和冷卻介質(zhì)之間的溫差比較小。它可以從兩方面來加以利用：
1)提高功率，在負(fù)載循環(huán)變化時允許芯片產(chǎn)生更大的動態(tài)溫差△Ti；
2)降低芯片的溫度，延長壽命。
由于水具有較大的熱容量(比熱容Cp=4.187kJ／kgK)，所以它原則上優(yōu)于其他液體介質(zhì)，如油、乙二醇等。
然而，由于水可能會引起生銹和結(jié)凍，所以開放式的或封閉式的純水循環(huán)系統(tǒng)極少被應(yīng)用。
如果將水與醇相混合，則冷卻液的熱容量會下降(當(dāng)入醇量為50％以及流體溫度為40℃時Cp=3.4kj／kSK)。另外，冷卻液的粘度和比重隨加醇的比例上升而上升，導(dǎo)致散熱器和冷卻液之間的熱阻Rthha急劇增加。例如，同純水相比，含50％醇的冷卻液熱阻會增加約50％~60%；而當(dāng)醇含量為90％，時，熱阻會進(jìn)一步上升60％~70％。
為了防銹的目的，SEMIKRON的鋁制水冷散熱器要求醇的含量不低于10％。冷卻液的硬度不得超過6。當(dāng)冷卻溫度大于60℃時，則建議使用循環(huán)式的冷卻液。
采用水冷時，帶功率模塊或SKiiPPACK的散熱器也叮以串聯(lián)。作為經(jīng)驗值，每個散熱器(例如，SEMIKRON用于SKiiPPACK的水冷散熱器)在流量為10L／min以及采用50％／50％的水醇混合液時，每kW功耗的進(jìn)出口溫差約為1.7K。

9 功率電路的設(shè)計
MOSFET、IGBT或SKiiPPACK模塊的功率電路可以由印刷線路板、銅線、導(dǎo)電銅排或鋁排構(gòu)成，取決于模塊所開關(guān)的電流和電壓等級。
除了常規(guī)的安裝規(guī)定以外，例如，爬距、電火花間隙或電流密度，由于系統(tǒng)的開關(guān)時間極短，約在ns至μs范圍內(nèi)，功率電路的設(shè)計還須滿足高頻技術(shù)的要求。
9.l 寄生電感和電容
圖55顯示了一個帶有寄生元件的IGBT變流器的換流回路。它由直流電壓源vd(對應(yīng)于換流電壓vk)與兩個帶有驅(qū)動器和反向二極管的IGBT開關(guān)所組成。換流電壓由直流母線電容Cd所維持。外加電流iL從換流回路流出。

9.1.1 換流回路的總電感
在含有S1和D2的換流回路中，參與換流的總電感是L11，L61，L31，L41，L72，L52與L12之和。同理，在含有D1和S2的換流回路中，總電感是L11，L71，L51，L62，L32，L42與L72之和。
當(dāng)S1或S2開通時，換流回路的總電感緩沖了開通過程，使S1或S2的開通損耗得以降低。
但當(dāng)S1和S2關(guān)斷以及在D1和D2反向恢復(fù)時，由于di／dt很高，回路電感會在晶體管和二極管中感應(yīng)出開關(guān)過電壓。這一效應(yīng)使得關(guān)斷損耗增加，且功率半導(dǎo)體的電壓應(yīng)力也隨之增加。
這一效應(yīng)的負(fù)面影響在短路和過載時尤為突出。另外，當(dāng)線路中還存在著寄生電容時，可能會引起高頻振蕩。
因此，在采用硬開關(guān)的變流器中，換流回路的總電感應(yīng)當(dāng)盡可能地小。除了L11和L12以外，其他部分的電感均為模塊的內(nèi)部電感，用戶無法改變。所以，功率模塊制造商的責(zé)任在于通過不斷改善模塊的構(gòu)造技術(shù)以使得其內(nèi)部的電感最小化。
SEMIKRON在參數(shù)表中給出了模塊主電路端子之間的有效內(nèi)部電感(例如，SKMIOOGBl23D的LCEmax=30nH）。
如果模塊僅含一個開關(guān)(一只IGBT或MOS―FET加一只反向二極管)，則在其構(gòu)成逆變器的一相時，應(yīng)使兩個模塊之間的連線電感盡可能地小。
特別重要的是使直流母線回路的電感盡可能地小。這一方面取決于母線銅排的放置方式，另一方面取決于功率模塊與直流電路的連接方式。在實際的變流器結(jié)構(gòu)中，層疊狀(平行且相互靠緊)的銅排系統(tǒng)得到了廣泛的應(yīng)用。此類結(jié)構(gòu)可將銅排的電感降低至25~50nH的范圍。
雖然L11+L12對功率模塊也有影響，但可以通過在功率模塊的直流電路端子間并聯(lián)C、RC或RCD等緩沖電路來減小。在大多數(shù)情況下，一個由薄膜電容構(gòu)成的簡單C緩沖電路便足夠了，電容值約在0.1~2μF之間。
9.1.2 發(fā)射極或源極邊的電感
發(fā)射極或源極邊的電感L31及L32既位于功率電路，也位于晶體管的驅(qū)動電路。
當(dāng)晶體管的電流快速變化時，所感應(yīng)的電壓將反饋到驅(qū)動電路(發(fā)射極或源極反饋)。這一現(xiàn)象將延緩柵極 發(fā)射極電容在開通時的充電速度以及在關(guān)斷時的放電速度，從而使開關(guān)時間和損耗增加。
另外，如果在模塊附近發(fā)生負(fù)載短路，則發(fā)射極反饋現(xiàn)象可被用來限制集電極電流的di／dt.為了降低電感L31及L32，功率模塊往往在發(fā)射極處具有一個獨立的驅(qū)動端子。
如果逆變器底部開關(guān)的驅(qū)動電路由一共用電源供電，則位于驅(qū)動地線和直流電路負(fù)極之間的寄生電感可能會在對地回路中引起振蕩。為此，可在驅(qū)動電源輸出端附加高頻穩(wěn)定電路。對于大功率變流器來說，可以采用隔離的獨立驅(qū)動電路。
9.1.3 電感L21和L22
L31以及L32為驅(qū)動器末極和晶體管之間的引線電感。它除了使驅(qū)動電路的阻抗增加以外，還可能與晶體管的輸入電容一起引發(fā)振蕩。其解決辦法是在驅(qū)動器末極和晶體管之間采用盡可能短的低電感引線。
9.1.4 電容
圖55中所示的電容Cxx表示了功率半導(dǎo)體的本征電容。它們隨電壓而變化，具有非線性的特性。它們構(gòu)成了換流電容Ck的最小值。從原理上說，它們有利于降低關(guān)斷過程中的損耗。
在開通時，換流電容的充放電會引起附加損耗。在多數(shù)MOSFET的高頻應(yīng)用中，這一現(xiàn)象應(yīng)得到重視。
C11和C12還對柵極產(chǎn)生dv/dt的反饋效應(yīng)。
器件的本征電容與開關(guān)附近的電感一起可能會引發(fā)振蕩。
9.2 電磁干擾與對電網(wǎng)的干擾
9.2.1 變流器的過程
如果考察一個變流系統(tǒng)的運(yùn)行過程，則功率模塊的開關(guān)工作方式一方面會產(chǎn)生不受歡迎的電磁干擾，另一方面又完成能量傳遞及必要的信號處理過程，如圖56所示。

這一過程可以按能量的高低做進(jìn)一步的劃分。高能量過程可能會在電網(wǎng)和負(fù)載中引起電磁干擾，其頻率范圍在基波和10kHz之間。而低能量過程的頻率范圍則大致在10kHz~30MHz之間，主要產(chǎn)生輻射干擾且其傳遞無須借助導(dǎo)線。這里所提到的頻率范圍主要由所采用的測量方式所決定，并非完全對應(yīng)于其物理數(shù)值。
變流器在低頻范圍內(nèi)的下擾被稱作電網(wǎng)回饋干擾，習(xí)慣上用電流的高次諧波分量來表達(dá)，直至2kHz。而大于10kHz的干擾則被稱作無線電干擾，由于采用了選擇性的頻譜測量，所以多用干擾電壓的頻譜來表達(dá)，其單位是dB／μV。對于這一頻率范圍(功率模塊的開關(guān)頻率多在此范圍)，目前正在討論建立一致的測量方法以及定義各極限值。有關(guān)這些干擾效應(yīng)的討論還沒有取得完全一致的結(jié)論，因為，同樣的物理過程可以通過不同的觀察方式去描述。不同的定義，例如，零電流、對地電流或不對稱干擾電壓，其區(qū)別僅在于所定義的頻率范圍不同，以及所有的開關(guān)參數(shù)均和頻率相關(guān)而已。如同無線電干擾過程本身一樣，參數(shù)對頻率的依賴性是連續(xù)的，因而其過渡范圍也極其寬廣。
9.2.2 干擾電流的產(chǎn)生
所有的干擾源于功率模塊的開關(guān)工作方式。利用圖57所示的等效換流問路可以闡述干擾的產(chǎn)生。

在一個感性的換流過程中，開關(guān)S1開通時，開關(guān)S2已處于導(dǎo)通狀態(tài)。
在硬開關(guān)過程中(LK=LKmin，CK=CKmin），首先以di／dt進(jìn)行換流，該di／dt由S1的參數(shù)所給定。換流過程至S2的電流反向冀崾，該反向恢復(fù)電流的di／dt與回路中的有效電感以及有效電容CK一起觸發(fā)了電壓的換流過程并決定了電壓的dv／dt。回路中的有效電容即所有的有效對地電容CΣ，與之并聯(lián)的還有換流電壓的對地阻抗。在換流過程開始時，S1的di／dt在換流電容及其并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)1中引起一個對稱的電流idm。在換流過程接近結(jié)束時，S2的反向恢復(fù)di／dt以及可被視作電流源的L引起的dv/dt，并在換流電容CK的并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中引發(fā)了不對稱電流icm。
如果增大LK，則可以使廾通過程變軟、di/dt減小、對稱的干擾電流也隨之減小。但較大的LK會引起非對稱干擾電流的增加。在換流過程開始時，dv/dt是由S1的開關(guān)特性所決定的。但在換流過程結(jié)束時，電壓會出現(xiàn)跳躍，并由S2的恢復(fù)特性所決定。將開關(guān)變軟，直至零電流開關(guān)模式，可以降低對稱的干擾電流并改變對稱電流的頻譜，但卻不能使其有效地減小。
一個容性的換流過程則始于開關(guān)S1的關(guān)斷。在硬開關(guān)過程中(CK=CKmin），并聯(lián)于換流電容的對地有效阻抗與開關(guān)S1的參數(shù)一起決定了不對稱電流的大小。電流換流過程出現(xiàn)于電壓換流過程之后，對稱的干擾電流由S1的關(guān)斷特性以及S2的導(dǎo)通特性所決定。
通過增大CK可使得關(guān)斷過程變軟。關(guān)斷過程由電流的換流過程開始，其di／dt由S1所決定，此時的電壓較低。延緩了的dv／dt可以降低電壓換流過程中的非對稱電流。接下來，S2被打開并決定了電流換流過程的di／dt。如果引入零電壓開關(guān)模式，則該軟開關(guān)將降低非對稱的干擾電流，但對對稱的干擾電流則無明顯的作用。而電容CK的增加會擴(kuò)大其在容性分流器中的分流比例，從而降低了網(wǎng)絡(luò)1的對稱千擾電流。所以，在ZVS模式下，采用相位控制的軟廾關(guān)變流線路可以降低非對稱的干擾電流，而在ZCS模式下則降低對稱的干擾電流。但在采用輔助的換流回路且交替使用ZVS和ZCS的軟開關(guān)變流線路中，同硬開關(guān)線路相比較，干擾電流并沒有明顯的降低。
9.2.3 傳播途徑
在測量無線電干擾電壓時，采用有選擇的測量方法來測量變流器的電網(wǎng)結(jié)點對大地的電壓波動。標(biāo)準(zhǔn)的測量過程是借助于一個電網(wǎng)阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)來測量對于參考地的電壓波動。在研究電磁干擾頻率范圍內(nèi)的對稱與非對稱干擾電流時，所有低頻范圍的簡單開關(guān)器件都可以通過附加的電感、電阻和電容來補(bǔ)充，以增強(qiáng)其對頻率的敏感度。
圖58顯示了一個簡單的降壓斬波器，在這里電網(wǎng)阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)替代了圖57中的網(wǎng)絡(luò)1，而負(fù)載則替代了網(wǎng)絡(luò)2。

模塊則構(gòu)成了S1和S2及其換流電感和電容的等效電路。前述的干擾電流在這里被簡化為一個電流源，代表對稱的干擾電流，以及一個電壓源，代表非對稱的干擾電流。在兩個等效電源中，由測量而得到的半導(dǎo)體特性可以用時間函數(shù)來表示．如圖59所示。

9.3 預(yù)裝好的功率單元
SEMIKRON提供巾模塊、MiniSKiiP或KiiP構(gòu)成的預(yù)裝好的功率單元。這些單元是根據(jù)上述原則設(shè)計的，并針對所采用的功率模塊特性進(jìn)行了優(yōu)化。
功率單元的功能為：
1)輸入整流器，由二極管、晶閘管或晶體管所組成；
2)疊片式直流母線，由三明治式導(dǎo)電銅排或鋁排、電解式電容或薄膜式電容、高頻抗擾電容、均壓和放電電阻所組成；
3)逆變器橋臂，由IGBT或MOSFET模塊以及SKiiPPACK所組成；
4)水冷或風(fēng)冷散熱器，風(fēng)扇可選；
5)驅(qū)動板，包括保護(hù)功能、傳感器、電源和電位隔離部分。
在交貨前，功率單元將在準(zhǔn)應(yīng)用的條件下進(jìn)行測試。
9.3.1 采用MiniSKiiP的功率組件
圖60顯示了一個功率組件的方框圖和實物圖。該組件采用了MiniSKiiP8，在電網(wǎng)電壓為400V時，該組件的最大輸出功率可達(dá)15kW。

這一功率組件的核心部分是一塊印刷電路板，其上集成了SKiiP83ANBl5(二極管整流橋+制動斬波器，代號ANB)或SKiiP83AHB15(晶閘管半控橋+制動斬波器，代號AHB)、SKiiP83AC121(IGBT三相逆變器，額定電流120A／25℃，帶交流電流傳感器)、直流母線回路(700μF)、驅(qū)動器(包含電位隔離、電源、過流保護(hù)、過溫保護(hù)和欠壓保護(hù)以及直流母線的充電電路(AHB型)。
通過MiniSKiiP器件以及其他的支撐點，可以將該印刷線路板安裝到散熱器上。
9.3.2SKiiP功率組件
如果客戶有要求，SKiiP功率組件可含一個或數(shù)個SKiiPPACK(也可以是并聯(lián))、三明治式直流母線電路、整流橋、風(fēng)扇以及附加的吸收電路。
圖61顯示了不同的直流母線電路結(jié)構(gòu)，如垂直式或水平式。

在電網(wǎng)電壓230~690 V的范圍內(nèi)，所有的SKiiPPACK均可構(gòu)成SKiiP功率組件。采用并聯(lián)SKiiP的方式，組件的輸出功率可達(dá)MW級。同時，除了SEMIKRON所提供的標(biāo)準(zhǔn)散熱器以外，幾乎任何客戶提供的空冷或水冷散熱器均可以被采用。
圖62顯示了一個SKiiP功率組件，該組件用于電網(wǎng)電壓為690V(直流母線電壓叮達(dá)1200V)，含有三個具有光纖輸入的SKiiPPACK、三明治式的直流母線電路、以及一個軸流式風(fēng)扇。當(dāng)開關(guān)頻率為3kHz以及冷卻空氣的進(jìn)口溫度為35℃時，組件連續(xù)輸出電流的有效值(50Hz)可達(dá)250A，1min的過載能力為375A。
9.3.3 采用IGBT或MOSFET模塊的功率組件
如果某些應(yīng)用不能用SKiiPPACK或Mini SKiiP功率組件，則可以采用模塊、驅(qū)動板、標(biāo)準(zhǔn)散熱器以及疊片式直流母線電路來構(gòu)成功率組件。這些組件也可以在準(zhǔn)應(yīng)用的條件下進(jìn)行測試。
上述功率組件已經(jīng)具備了子系統(tǒng)的特性。對于用戶和制造商來說，這一點決定了組件的設(shè)計工作和模塊相比較有所不同。 (連載完)