武漢新芯存儲器芯片工廠動土 追趕三星不被看好

　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)在28日動土，目標(biāo)是當(dāng)前最先進的3D NAND Flash，是中國公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

　　以2014年數(shù)據(jù)來說，大陸芯片市場規(guī)模破兆元(人民幣，下同)，占全球芯片市場的50.7%，其中儲存芯片市場規(guī)模達(dá)2465.5億元，但該產(chǎn)業(yè)鏈在大陸是空白一片，全都仰賴進口。

　　核心芯片需自制

　　去年大陸國務(wù)院總理李克強就說，進口芯片的錢居然已跟石油差不多，就是在指責(zé)中國無法自產(chǎn);不少業(yè)者也說，現(xiàn)在網(wǎng)路相關(guān)產(chǎn)品越來越多，為了確保資訊與國家安全，以及軍事使用，儲存的核心芯片必須自制。

　　所以在2014年啟動關(guān)于半導(dǎo)體的發(fā)展計畫后，也成立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金公司(國家大基金)，今年更將其列為“十三五”規(guī)畫，并大力宣傳包括紫光集團、 中國電子、長電科技等，已是“芯片國家隊”，而武漢新芯則是補充儲存芯片這一塊空缺，選擇與美國Spansion合作，交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash技術(shù)。

　　武漢新芯營運長洪沨表示，3D NAND Flash將成為中國記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點。

　　國際NAND Flash大廠比一比

　　恐淪懲罰性業(yè)務(wù)

　　武漢新芯拿到的是國家大基金和湖北與武漢的當(dāng)?shù)卣Y金，公司高層很多來自中芯，外媒戲稱是“政府自己人”，目標(biāo)對手是南韓三星，但分析師并不看好，認(rèn)為起步已比三星晚很多，這一行投資成本極高，若做不到市占率第一，就很容易成為“懲罰性業(yè)務(wù)”。

　　外媒甚至以臺灣經(jīng)驗為例，過去投入數(shù)百億美元仍以失敗作收，多家公司被對手收購，三星電子已能量產(chǎn)，若說技術(shù)可達(dá)64層，武漢新芯恐怕只有8層。

　　但臺灣業(yè)者要先擔(dān)心的是，大陸官方插手量產(chǎn)后造成的產(chǎn)能過剩價格戰(zhàn)，因武漢新芯最快明年量產(chǎn)，但各大記憶體廠也在加大相關(guān)產(chǎn)能投資，SK海力士擴充產(chǎn)能將于2019年投產(chǎn)，最近東芝也宣布3年擴產(chǎn)計畫。