武漢新芯存儲器芯片工廠動土 追趕三星不被看好
武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)在28日動土,目標(biāo)是當(dāng)前最先進的3D NAND Flash,是中國公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201603/288954.htm以2014年數(shù)據(jù)來說,大陸芯片市場規(guī)模破兆元(人民幣,下同),占全球芯片市場的50.7%,其中儲存芯片市場規(guī)模達(dá)2465.5億元,但該產(chǎn)業(yè)鏈在大陸是空白一片,全都仰賴進口。
核心芯片需自制
去年大陸國務(wù)院總理李克強就說,進口芯片的錢居然已跟石油差不多,就是在指責(zé)中國無法自產(chǎn);不少業(yè)者也說,現(xiàn)在網(wǎng)路相關(guān)產(chǎn)品越來越多,為了確保資訊與國家安全,以及軍事使用,儲存的核心芯片必須自制。
所以在2014年啟動關(guān)于半導(dǎo)體的發(fā)展計畫后,也成立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金公司(國家大基金),今年更將其列為“十三五”規(guī)畫,并大力宣傳包括紫光集團、 中國電子、長電科技等,已是“芯片國家隊”,而武漢新芯則是補充儲存芯片這一塊空缺,選擇與美國Spansion合作,交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash技術(shù)。
武漢新芯營運長洪沨表示,3D NAND Flash將成為中國記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點。
國際NAND Flash大廠比一比
恐淪懲罰性業(yè)務(wù)
武漢新芯拿到的是國家大基金和湖北與武漢的當(dāng)?shù)卣Y金,公司高層很多來自中芯,外媒戲稱是“政府自己人”,目標(biāo)對手是南韓三星,但分析師并不看好,認(rèn)為起步已比三星晚很多,這一行投資成本極高,若做不到市占率第一,就很容易成為“懲罰性業(yè)務(wù)”。
外媒甚至以臺灣經(jīng)驗為例,過去投入數(shù)百億美元仍以失敗作收,多家公司被對手收購,三星電子已能量產(chǎn),若說技術(shù)可達(dá)64層,武漢新芯恐怕只有8層。
但臺灣業(yè)者要先擔(dān)心的是,大陸官方插手量產(chǎn)后造成的產(chǎn)能過剩價格戰(zhàn),因武漢新芯最快明年量產(chǎn),但各大記憶體廠也在加大相關(guān)產(chǎn)能投資,SK海力士擴充產(chǎn)能將于2019年投產(chǎn),最近東芝也宣布3年擴產(chǎn)計畫。
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