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武漢新芯存儲(chǔ)器芯片工廠動(dòng)土 追趕三星不被看好

作者: 時(shí)間:2016-03-29 來(lái)源:工商時(shí)報(bào) 收藏
編者按:中國(guó)正在打造世界級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),砸240億美元巨資,以“國(guó)家隊(duì)”力量來(lái)“彎道超車(chē)”!用錢(qián)可以砸出來(lái)國(guó)家隊(duì),但是技術(shù)還得靠自己。

  武漢集成電路制造有限公司(XMC)在28日動(dòng)土,目標(biāo)是當(dāng)前最先進(jìn)的3D NAND Flash,是中國(guó)公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201603/288954.htm

  以2014年數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō),大陸芯片市場(chǎng)規(guī)模破兆元(人民幣,下同),占全球芯片市場(chǎng)的50.7%,其中儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2465.5億元,但該產(chǎn)業(yè)鏈在大陸是空白一片,全都仰賴(lài)進(jìn)口。

  核心芯片需自制

  去年大陸國(guó)務(wù)院總理李克強(qiáng)就說(shuō),進(jìn)口芯片的錢(qián)居然已跟石油差不多,就是在指責(zé)中國(guó)無(wú)法自產(chǎn);不少業(yè)者也說(shuō),現(xiàn)在網(wǎng)路相關(guān)產(chǎn)品越來(lái)越多,為了確保資訊與國(guó)家安全,以及軍事使用,儲(chǔ)存的核心芯片必須自制。

  所以在2014年啟動(dòng)關(guān)于半導(dǎo)體的發(fā)展計(jì)畫(huà)后,也成立了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金公司(國(guó)家大基金),今年更將其列為“十三五”規(guī)畫(huà),并大力宣傳包括紫光集團(tuán)、 中國(guó)電子、長(zhǎng)電科技等,已是“芯片國(guó)家隊(duì)”,而武漢則是補(bǔ)充儲(chǔ)存芯片這一塊空缺,選擇與美國(guó)Spansion合作,交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash技術(shù)。

  武漢營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)洪沨表示,3D NAND Flash將成為中國(guó)記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車(chē)的切入點(diǎn)。


武漢新芯存儲(chǔ)器芯片工廠動(dòng)土 追趕三星不被看好


  國(guó)際NAND Flash大廠比一比

  恐淪懲罰性業(yè)務(wù)

  武漢新芯拿到的是國(guó)家大基金和湖北與武漢的當(dāng)?shù)卣Y金,公司高層很多來(lái)自中芯,外媒戲稱(chēng)是“政府自己人”,目標(biāo)對(duì)手是南韓三星,但分析師并不看好,認(rèn)為起步已比三星晚很多,這一行投資成本極高,若做不到市占率第一,就很容易成為“懲罰性業(yè)務(wù)”。

  外媒甚至以臺(tái)灣經(jīng)驗(yàn)為例,過(guò)去投入數(shù)百億美元仍以失敗作收,多家公司被對(duì)手收購(gòu),三星電子已能量產(chǎn),若說(shuō)技術(shù)可達(dá)64層,武漢新芯恐怕只有8層。

  但臺(tái)灣業(yè)者要先擔(dān)心的是,大陸官方插手量產(chǎn)后造成的產(chǎn)能過(guò)剩價(jià)格戰(zhàn),因武漢新芯最快明年量產(chǎn),但各大記憶體廠也在加大相關(guān)產(chǎn)能投資,SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能將于2019年投產(chǎn),最近東芝也宣布3年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)。



關(guān)鍵詞: 新芯 存儲(chǔ)器

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