投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。

　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成長(zhǎng)率。

　　對(duì)成長(zhǎng)貢獻(xiàn)最大之類別包括晶圓代工、3D NAND晶圓廠，以及準(zhǔn)備在2017年拉升10奈米制程產(chǎn)能的業(yè)者。專業(yè)晶圓代工廠仍然是最大支出來(lái)源，其2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%)，惟2016年可望增加5%，2017年成長(zhǎng)率更將接近10%。

　　DRAM支出緊追在晶圓代工之后，排行第二。2015年DRAM支出表現(xiàn)強(qiáng)勁，但2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復(fù)上揚(yáng)趨勢(shì)，成長(zhǎng)率上看10%。

　　就支出成長(zhǎng)率來(lái)看，最大成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)自3D NAND(包括3D XPoint技術(shù))。2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長(zhǎng)幅度高達(dá)101%。2016年支出將再增加50%，上揚(yáng)56億美元以上。