三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201605/291147.htm三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self Aligned QPT;SaQPT)方式,系自動對位雙重曝光顯影技術(shù)(Self Aligned Double Patterning Technology;SaDPT)的延伸,亦即進行兩次SaDPT,以達成不需增加光罩數(shù)的理想。
不過,三星所采SaQPT仍需形成超 微細導電膜,故需追加原子層沉積(Atomic Layer Deposition;ALD)制程,及形成圖案所需的蝕刻與化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)等制程,使得三星所采SaQPT成本將為單次曝光顯影技術(shù)的3.3倍。
在超微細導電膜方面,由于以往系采用 分子單位的物質(zhì),來蒸鍍導電膜,然因分子單位下的粒子較大,不易形成均勻薄膜,為避免電子外泄,需蒸鍍較厚的導電膜,然此將導致電容器內(nèi)的電荷儲存量減 少,三星改用原子物質(zhì)來制作導電膜,可望克服此一問題,推動DRAM朝18奈米制程微縮。
四重曝光顯影技術(shù)的主要制造流程
資料來源:DIGITIMES整理,2016/4
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