DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn),DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201605/291264.htm三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self Aligned QPT;SaQPT)方式,系自動(dòng)對(duì)位雙重曝光顯影技術(shù)(Self Aligned Double Patterning Technology;SaDPT)的延伸,亦即進(jìn)行2次SaDPT,以達(dá)成不需增加光罩?jǐn)?shù)的理想。
不過,三星所采SaQPT仍須形成超微細(xì)導(dǎo)電膜,故需要追加原子層沉積(Atomic Layer Deposition;ALD)制程,及形成圖案所需的蝕刻與化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)等制程,使得三星所采SaQPT成本將為單次曝光顯影技術(shù)的3.3倍。
在超微細(xì)導(dǎo)電膜方面,由于以往系采用分子單位的物質(zhì),來蒸鍍導(dǎo)電膜,然因分子單位下的粒子較大,不易形成均勻薄膜,為避免電子外泄,需蒸鍍較厚的導(dǎo)電膜,然此將導(dǎo)致電容器內(nèi)的電荷儲(chǔ)存量減少,三星改用原子物質(zhì)來制作導(dǎo)電膜,可望克服此一問題,推動(dòng)DRAM朝18納米制程微縮。
評(píng)論