Intel美光聯(lián)軍兵臨城下 三星3D NAND恐痛失霸主地位

　　前有埋伏、后有追兵，三星電子3D NAND flash的霸主寶座即將拱手讓人?據(jù)了解，美光(Micron)和英特爾(Intel)聯(lián)手研發(fā)3D NAND進(jìn)展神速，可能今年底就會(huì)一腳踢開三星，登上王座。

　　韓媒BusinessKorea 1日?qǐng)?bào)道，TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)報(bào)告稱，美光和英特爾的新加坡合資工廠，今年第一季已經(jīng)開始量產(chǎn)3D NAND flash，目前每月產(chǎn)量為3,000片，預(yù)料年內(nèi)可拉升至每月4萬片。

　　與此同時(shí)，英特爾大連廠也將在今年底產(chǎn)能全開，屆時(shí)兩家美廠的3D NAND產(chǎn)能將壓倒三星。三星3D NAND每月產(chǎn)能約在2萬~4萬片之間，約占三星總體NAND產(chǎn)能的9~18%。

　　DRAMeXchange說法吻合業(yè)界分析，也就是美光/英特爾3D NAND技術(shù)的穩(wěn)定速度快于預(yù)期。三星勁敵不只美廠，日廠東芝(Toshiba)和韓廠SK海力士(SK Hynix)也來勢(shì)洶洶。SK海力士的3D NAND已于Q2出貨，下半年將積極增產(chǎn)，計(jì)劃從當(dāng)前的每月2千片、Q4增至每月2萬片。

　　專家指出，盡管三星3D NAND技術(shù)領(lǐng)先對(duì)手3年，各方增產(chǎn)之下，技術(shù)差距已毫無意義，明年3D NAND擴(kuò)產(chǎn)大戰(zhàn)將更加白熱化，三星可能不會(huì)增建產(chǎn)線，以提高生產(chǎn)力為主，應(yīng)對(duì)戰(zhàn)局。

　　美光5月31日終場(chǎng)跳漲了3.33%、收12.72美元，平1月12日以來收盤新高，股價(jià)帶量沖過頸線;以收盤價(jià)計(jì)算，過去9個(gè)交易日共計(jì)狂漲了31.54%，從月KD已在4月低檔黃金交叉來看，過去半年來美光股價(jià)也有底部成形的味道。

　　barron`s.com報(bào)道，分析師Tristan Gerra 5月31日發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子可能會(huì)在今年下半年把一大部分的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到NAND型快閃記憶體，同時(shí)將18納米制程產(chǎn)能初步拉高。

　　紅色供應(yīng)鏈來勢(shì)洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測(cè)，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

　　巴倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)道，美系外資芯片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗(yàn)證，2018年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　BusinessKorea 1月15日?qǐng)?bào)道，英特爾大連廠將在今年下半生產(chǎn)3D NAND。大連廠設(shè)備老舊，英特爾將砸55億美元升級(jí)產(chǎn)能，盼量產(chǎn)3D NAND和Xpoint。明年東芝和英特爾的3D NAND產(chǎn)能可能是三星西安廠的2~3倍，將威脅三星的霸者地位。

　　3D NAND用途廣泛，可用于伺服器、SSD、SD卡、智能機(jī)、平板、筆電等。