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存儲器國產(chǎn)化?堅持下去才有希望

作者: 時間:2016-07-14 來源:太平洋安防網(wǎng) 收藏
編者按:投資沒耐心是制約中國半導體發(fā)展的重要因素,很多投資人或企業(yè)想要三五年就獲得回報,很難實現(xiàn),半導體制造行業(yè)投資成功在中國可能需要十年左右的時間,不過拋開主觀愿望,中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè),還需要可靠的知識產(chǎn)權來源與工程技術人才。

  國家重點推進產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的核心地位,更是基于信息安全的考量,唯有在、CPU等核心芯片領域具備自主可控能力,才能確保國防及信息安全。目前國內(nèi)的國產(chǎn)化具備一定的產(chǎn)業(yè)基礎,國家存儲器戰(zhàn)略有望落地!

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201607/294068.htm



  歸納起來,目前存儲器有三個方面的力量正在聚集,一個是政府主導的武漢新芯,它們與中科院微電子所等合作,據(jù)說己經(jīng)有9層樣品。另一個是紫光,它的策略是先通過兼并,站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府,福建與合肥,它們試圖尋找技術伙伴,或者挖技術團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路,它由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技術,產(chǎn)品將是32納米制程的利基型DRAM,未來技術將授權給晉華,同時聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

  依目前的態(tài)勢由于做的產(chǎn)品不同,有,利基型DRAM,DRAM及NAND,采用的路徑不同,以及合作對象也不一樣,正如同“百花齊放”,因此都有一定的可能,但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產(chǎn)線,所以未來可能還要等2-3年時間的觀察,結果才會更加明朗。個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主,盡管這條道可能慢些,暫時技術方面落后,但是能有屬于自己的東西,它的未來至少國家一定會支持到底,相對有成功的可能與希望。

  近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案,對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂。因為此種跟隨型模式,盡管看似省心省事,但是中方缺乏自主能力,另外擔心美光會采取不同的技術轉移策略,讓中國處于最低端,因此要慎之又慎。如果未來由英特爾,三星,海力士,臺積電,聯(lián)電,GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導中國的芯片制造業(yè),對于如中芯國際,華力微等企業(yè)的成長并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢,從道理上如中芯國際等企業(yè)應該加快研發(fā)步伐,在逆境中迅速崛起。

  分析閃存芯片制造基本上要過兩道難關,一個是過技術關。不管是32層,48層要能做出來,這一步最為重要,而且性能與成本上的差距不能太懸殊:另一個是準備迎接IP及價格戰(zhàn),當中國真正做出產(chǎn)品后是無法避免的。

  由于存儲器投資巨大,在具體操作方面既要有足夠信心,同時要慎之又慎。據(jù)SEMI報道,3DNAND生產(chǎn)線,每1000片的投資需55-65M美元,如若月產(chǎn)能200000片,需要130億美元,而且要計及之后每3年左右要作技術升級的投資。

  另據(jù)2010年12月資料,介紹3D閃存制作工藝(由于制造工藝各家都十分保密,因此本文中提到的方法也不可能完整);3DNAND技術在產(chǎn)品生產(chǎn)上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長后,使用光罩及刻蝕,隨后連續(xù)成長8層薄膜及刻蝕之后,最后便只需一道光罩,總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出,其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術。目前,三星(Samsung)的TACT、VSAT;東芝的P-BiCS和3DVG,都屬于一體成形3D內(nèi)存技術,可大幅降低生產(chǎn)成本。

 堅持下去才有成功希望

  目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬,最希望的能有技術合作伙伴呈現(xiàn),甚至更有人期望通過兼并,一下子躍升至該有的高度。實際上的結果是至此無人響應,全球存儲器廠商集體的“袖手旁觀”。

  其實這樣的結果是意料之中,并非是壞事,至少斷了想依賴有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進行技術合作,等于上了別人設計的軌道,誰也明白最先進的技術不可能給中國,而沿著別人軌道走會更難受,等于束縛了自已的手腳。


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關鍵詞: 存儲器 3DNAND

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