存儲器國產化？堅持下去才有希望

　　國家重點推進存儲器產業(yè)的發(fā)展不僅是因為其處于集成電路產業(yè)的核心地位，更是基于信息安全的考量，唯有在存儲器、CPU等核心芯片領域具備自主可控能力，才能確保國防及信息安全。目前國內的存儲器國產化具備一定的產業(yè)基礎，國家存儲器戰(zhàn)略有望落地!

　　歸納起來，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據(jù)說己經有9層3DNAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術伙伴，或者挖技術團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關制程技術，產品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術將授權給晉華，同時聯(lián)電也可以保有研發(fā)成果。

　　依目前的態(tài)勢由于做的產品不同，有3DNAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產線，所以未來可能還要等2-3年時間的觀察，結果才會更加明朗。個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時技術方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會支持到底，相對有成功的可能與希望。

　　近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂。因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔心美光會采取不同的技術轉移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。如果未來由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯(lián)電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。

　　分析3DNAND閃存芯片制造基本上要過兩道難關，一個是過技術關。不管是32層，48層要能做出來，這一步最為重要，而且性能與成本上的差距不能太懸殊：另一個是準備迎接IP及價格戰(zhàn)，當中國真正做出產品后是無法避免的。

　　由于存儲器投資巨大，在具體操作方面既要有足夠信心，同時要慎之又慎。據(jù)SEMI報道，3DNAND生產線，每1000片的投資需55-65M美元，如若月產能200000片，需要130億美元，而且要計及之后每3年左右要作技術升級的投資。

　　另據(jù)2010年12月資料，介紹3D閃存制作工藝(由于制造工藝各家都十分保密，因此本文中提到的方法也不可能完整);3DNAND技術在產品生產上都采用一體成形制造法。所謂一體成形制造法是在第一層NAND薄膜生長后，使用光罩及刻蝕，隨后連續(xù)成長8層薄膜及刻蝕之后，最后便只需一道光罩，總計需要27張光罩。該方法在2007年由東芝提出，其Bit Costscalable(BiCS)TFTSONOS便是采用這種技術。目前，三星(Samsung)的TACT、VSAT;東芝的P-BiCS和3DVG，都屬于一體成形3D內存技術，可大幅降低生產成本。

　堅持下去才有成功希望

　　目前業(yè)界的心態(tài)是能迅速上馬，最希望的能有技術合作伙伴呈現(xiàn)，甚至更有人期望通過兼并，一下子躍升至該有的高度。實際上的結果是至此無人響應，全球存儲器廠商集體的“袖手旁觀”。

　　其實這樣的結果是意料之中，并非是壞事，至少斷了想依賴有人能邦助我們的念想。因為即便有人能與中國進行技術合作，等于上了別人設計的軌道，誰也明白最先進的技術不可能給中國，而沿著別人軌道走會更難受，等于束縛了自已的手腳。