英特爾、三星等IDM大廠積極經(jīng)營(yíng)晶圓代工市場(chǎng)

　　三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)將大幅拓展晶圓代工事業(yè)領(lǐng)域。過(guò)去掌握晶圓代工市場(chǎng)的臺(tái)積電、格羅方德(Global Foundries)等單純晶圓代工業(yè)者，和三星、英特爾等綜合半導(dǎo)體企業(yè)(IDM)憑藉各自的優(yōu)勢(shì)，形成競(jìng)爭(zhēng)版圖。

　　據(jù)韓國(guó)朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，三星在大陸上海舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum)，以海思半導(dǎo)體、展訊、聯(lián)發(fā)科等IC設(shè)計(jì)業(yè)者為對(duì)象進(jìn)行技術(shù)說(shuō)明會(huì)。三星大陸負(fù)責(zé)人崔哲(音譯)在100多名業(yè)界與會(huì)人士面前公開(kāi)三星最尖端的10納米、14納米制程，并介紹8吋制程等可提升成本效益。

　　韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為，三星將以本次活動(dòng)為起點(diǎn)，積極在大陸確保晶圓代工客戶。三星自數(shù)年前開(kāi)始逐漸降低對(duì)最大客戶蘋果(Apple)的依賴，為吸引新客戶，扶植晶圓代工技術(shù)。2014年三星也與意法半導(dǎo)體(ST Microelectronics)合作，開(kāi)始研發(fā)28納米完全空乏式(depletion-type)絕緣上覆矽(FD-SOI)技術(shù)。

　　FD-SOI制程是在矽晶圓上制造輕薄絕緣氧化膜，再形成平面型電晶體電極的半導(dǎo)體制程。因外泄電流量少，用電效率最高提升近2倍，且可大幅縮減生產(chǎn)成本。2015年3月三星完成FD-SOI產(chǎn)品測(cè)試階段，目前也完成商用化生產(chǎn)準(zhǔn)備。

　　韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)等高集成芯片一般會(huì)使用傳統(tǒng)3D FinFET制成，結(jié)合類比電路的無(wú)線通訊(RF)芯片等，仍最適用FD-SOI制程。三星為生產(chǎn)處理器之外的芯片，一定會(huì)使用FD-SOI制程。

　　全球半導(dǎo)體龍頭英特爾也宣布在晶圓代工市場(chǎng)上拓展領(lǐng)域。韓國(guó)業(yè)界先前預(yù)測(cè)英特爾2011年進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng)，而英特爾也透過(guò)與樂(lè)金電子(LG Electronics)、展訊、拓朗半導(dǎo)體(Altera)等大客戶合作，正式跨足市場(chǎng)。近來(lái)英特爾獲得ARM設(shè)計(jì)授權(quán)，2017年下半將運(yùn)用10納米制程，生產(chǎn)樂(lè)金手機(jī)AP產(chǎn)品。

　　三星、英特爾等IDM大廠加強(qiáng)對(duì)晶圓代工市場(chǎng)攻略的理由，是因相關(guān)市場(chǎng)獲利性將持續(xù)成長(zhǎng)。半導(dǎo)體微細(xì)制程轉(zhuǎn)換逐漸進(jìn)入瓶頸，IC設(shè)計(jì)業(yè)者委托生產(chǎn)具一定水準(zhǔn)的芯片的成本也逐漸攀升。

　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights資料指出，2016年半導(dǎo)體整體市場(chǎng)將出現(xiàn)2%負(fù)成長(zhǎng)，但晶圓代工領(lǐng)域的成長(zhǎng)率預(yù)估有9%。

　　另一方面，臺(tái)積電獨(dú)吞逾5成市占率的晶圓代工市場(chǎng)版圖，是否會(huì)因三星和英特爾的攻勢(shì)出現(xiàn)變化，受到市場(chǎng)關(guān)注。韓國(guó)業(yè)界認(rèn)為在生產(chǎn)效益方面，臺(tái)積電、格羅方德等專門晶圓代工業(yè)者握有優(yōu)勢(shì)，但在微細(xì)制程、封裝等高難度制程方面，三星和英特爾則較為領(lǐng)先。